光刻机|外媒:EUV光刻机开始“落幕”了( 二 )



首先是来自光刻机的几个另外的厂家 , 佳能当初虽然不能像ASML一样将市场垄断 , 但是他也在默默的发展 , 在他无法发展的这一个时机 , 他就他研发的NIL纳米压印技术公之于众 。 这是佳能和铠侠共同研发的为的就是代替EUV的纳米压印技术 。

据日媒报道 , 早在2107年铠侠工厂就开启了纳米压印的试制设备测试运行 , 现如今已经能够支持15nm制程 , 同样他们也在不断的发展壮大 , 预计在2025年就能够推出一款与ASML一决高下的产品 。
同样在发源地的美国 , 研发出了EBL电子光刻技术 。 在十月份美企就提出全球最高分辨率光刻系统 。 我们要知道ASML最新的产品High-NAEUV , 所能制造的晶圆也只能制造出的也是1nm , 在1nm以下的制程还是比较难实现的 。 但是美国利用其研发的EBL电子光刻技术 , 制造出了0.768nm的芯片 , 虽然这个技术还有一定的缺陷 , 但是这足以给ASML敲响警钟 。

在这时先进封装开始快速崛起 , 先进封装较传统封装 , 提升了芯片产品的集成密度和互联速度 , 降低了设计门槛 , 优化了功能搭配的灵活性 。 例如倒装将芯片与衬底互联 , 缩短了互联长度 , 实现了芯片性能增强和散热、可靠性的改善 。 对于光刻机的要求就不会很高 , 利用较低制程 , 能够实现高制程芯片的性能 , 就比如说前段时间台积电建立的3DFabric联盟中的2.5D/3D的封装技术 。
自打ASML用EUV垄断市场的时候 , 去其他企业也在另寻出路 。 还有小芯片技术 , 由英特尔、三星、台积电、高通这几个巨头成立的联盟知道的小芯片标准 , 来打造小芯片生态 。 同时在今年的五月 , 我国中科院、工信部以及中国的多个芯片厂商共同商讨制定 , 制定了中国的芯片规则 , 《小芯片接口总线技术要求》正式立项 。

【光刻机|外媒:EUV光刻机开始“落幕”了】这些技术的发展推进的目的就是在绕开EUV , EUV的垄断终将结束 , 各大外国媒体也纷纷报道 , EUV光刻机逐步走向“落末” 。 只有这样世界的芯片行业才会有更大的发展 , 技术才能不断地突破 。 为此 , ASML不愿意按照美方要求断供DUV , 因为DUV还是未来光刻机的主流需求!