芯片|中企宣布突破，或将成NAND芯片领导者，外媒：美国受不了这刺激闪存|it芯片

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【芯片|中企宣布突破，或将成NAND芯片领导者，外媒：美国受不了这刺激】点击关注，每天精彩不断！
导读：中企宣布突破，或将成NAND芯片领导者，外媒：美国受不了这刺激众所周知，半导体芯片是现代科技领域发展的“粮食” ，如今我们生活中所使用的电子数码产品中都需要芯片来支撑；而半导体芯片的种类又非常的多，除了我们熟悉的CPU芯片以外，内存芯片也是十分重要的；在智能手机，电脑等消费电子产品中都离不开内存芯片，随着整个内存存储芯片市场的不断发展，如今NAND 闪存芯片也成为了市场的主流！

在全球的NAND存储芯片市场上，韩国、日本和美国是主要的生产地，其中三星电子、SK海力士、铠侠、西部数据、以及美光等企业主导了NAND存储芯片市场；但是这也并不意味着我国科技企业就没有发展NAND存储芯片的机会；中国长江存储很早就进入了存储芯片市场发展，而在也NAND存储芯片领域也进行了广泛的布局，如今中企长江存储正式宣布突破NAND存储芯片核心技术，或将成为NAND存储芯片的领导者，那么中企长江存储又有哪些核心技术呢？

在过去的几年时间里，韩国的三星、SK海力士以及美国的美光等存储芯片巨头从64层NAND推进到128层，成为了市场上的主流；虽然说美光科技再往前一步，提出了要生产232层结构的想法，但是市场上却迟迟没有传出美光科技突破232层结构的消息，而现在中企长江存储却正式推出了232 层 3D NAND 闪存产品，这也意味着长江存储已经突破了232层3D NAND闪存的生产难题，并成为了 3D NAND 闪存市场上的领导者！

要知道， 3D NAND闪存一直都是行业发展的趋势，而三星、SK海力士以及美光等巨头在这一领域研发多年，但却一直都没有太大的技术突破，但没想到长江存储经过不懈的努力，在这一技术领域取得了领先的突破，长江存储利用Xtacking技术，把存储阵列与外围电路进行区分，再用垂直互联通道进行连接，简单点说就是在两颗晶圆上独立制造两种电路，这样的性能将比单一集成方式更加出色！

如今长江存储率先切入200层以上的3D NAND闪存芯片市场，并成为了行业的领导者，这也是值得我们骄傲和自豪的；而长江存储的不断突破和崛起，也将直接改变全球存储产业市场的发展；并打破美日韩科技巨头企业对NAND行业的垄断，对此外媒也纷纷表示：美国受不了这刺激！

这些年来，老美一直都在想方设法的对中企在半导体芯片领域的发展进行打压，但极限的打压往往只会刺激中企加快自主研发的脚步，如今长江存储宣布技术突破，并推出了行业首个232层NAND闪存产品，也相当于是放出了王炸，估计美国可受不了这刺激；相信随着中企的不断发展和布局，未来我们也不会再被人卡脖子发展，不知道对此你是怎么看的呢？