极紫外光刻|内存价格暴跌 三星仍打算扩大生产:新增10台EUV光刻机

极紫外光刻|内存价格暴跌 三星仍打算扩大生产:新增10台EUV光刻机

【极紫外光刻|内存价格暴跌 三星仍打算扩大生产:新增10台EUV光刻机】由于内存价格暴跌 , 美光、SK海力士两家内存厂商都已经大幅削减了投资 , 降低了产能 , 然而三星作为内存一哥不为所动 , 不仅不打算减产 , 甚至还在扩大投资 , 明年新增至少10台EUV光刻机 , 用于生产最新的12nm级内存芯片 。
三星在韩国的内存工厂主要是位于平泽市的晶圆厂 , 其中P3晶圆厂目前的产能是每月2万片晶圆 , 三星已经计划扩大投资 , 增加内存生产设备 , 将产能提升到每月7万片晶圆 。
在这些设备中 , 最重要的就是EUV光刻机了 , 三星从14nm级别的内存芯片开始引入EUV光刻机 , EUV光刻机可以减少多重曝光工艺 , 提供工艺精度 , 从而可以减少生产时间、降低成本 , 并提高性能 。
当然 , 上EUV工艺的代价也不是没有 , EUV光刻机单价10亿元以上 , 产量也不如传统DUV光刻机 , 意味着初期成本会比较高 。
按照三星的计划 , 2023年的P3晶圆厂将新增至少10台EUV光刻机 , 主要用于量产此前发布的12nm级DRAM内存芯片 。
12月21日消息 , 三星宣布全球首发12nm工艺的DDR5内存 , 核心容量16Gb , 并率先完成AMD平台兼容认证 。
三星是全球第一大DRAM内存芯片公司 , 技术上也是最领先的之一 , 2021年率先推出了14nm DRAM芯片 , 用上了EUV工艺 , 这次的12nm DRAM内存芯片则是进一步的技术升级版 。
除了EUV工艺之外 , 12nm DRAM内存还使用了高K材料及改善电路特性的专用设计技术 , 该内存具有业界最高的存储密度 , 而且晶圆生产效率提升了20% 。
三星没有提及太多的技术细节 , 速度上可达7.2Gbps , 号称1秒内可以处理2部30GB的UHD电影 , 功耗比以前的DRAM降低了23% 。