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公司持续践行三维发展战略
公司2021 年募集资金 37.5 亿元用于中微临港总部和研发中心项目,其中部分资金将用于开发HPCVD、导体薄膜的 LPCVD 低压热化学设备和 ALD 原子层沉积设备、硅和锗硅等 EPI单晶生长设备等。目前公司已组建团队开发 EPI 设备和 LPCVD 设备,其中 EPI 设备主要焦距 Foundry Logic Device, 主要的应用是 Si、Si/Ge EPI,LPCVD 设备主要焦距 MemoryDevice, 主要的应用是 W、WN、TiN 等。
三、MOCVD 否极泰来,Mini LED 带来新机遇Mini LED 即次毫米发光二极管,其灯珠点距缩短至 100-300 微米,并把由数十颗大尺寸LED 灯珠构成的侧边式背光源变成由数千颗甚至更多 Mini LED 灯珠构成的直下式背光源,实现背光源结构的优化。相比传统 LCD 显示技术,Mini LED 的高动态范围成像精细度更高、能耗更低、画面更细致,并能实现“全面屏”效果。Mini LED 作为新型显示技术,可应用于大尺寸显示屏、电视和手机背光等。
Mini LED 作为新一代的核心显示技术,市场空间广阔,国内外 LED 芯片厂商纷纷布局,以三安光电为例,2018 年三安光电推出 Mini LED 芯片产品并实现量产,2019 年开始实现 Mini LED 的批量供货,2020 年陆续与多家知名下游客户展开 Mini LED 导入合作,2021 年三安计划投资 120 亿元用于湖北 Mini/Micro 显示产业化项目。以三安光电为代表的下游厂商加大对 Mini LED 的投资力度,推动 Mini LED 技术日趋成熟。
Micro LED 被认为是未来 LED 显示技术的发展方向,能够进一步减少 LED芯片尺寸,在显示领域不断拓展新应用。LEDinside 数据显示,2020 年全球 GaN-LED 外延片需求量为 4038 万片/年,TrendForce 集邦咨询预计到 2025 年,Mini/Micro LED 新型显示带来的 LED 外延片需求量将达到 1417 万片/年。新型显示技术渗透率的持续提升,将显著提升 LED 需求,全球 LED 产业链有望迎来拐点。
MOCVD 设备作为 LED 制造中最重要的设备,有望显著受益于 Mini LED 需求爆发。LED 产业链由衬底加工、LED 外延片生产、芯片制造和器件封装组成,其中 LED 外延片的制备是 LED 芯片生产的重要步骤,主要通过 MOCVD 单种设备实现。因此,MOCVD设备作为 LED 制造中最重要的设备,其采购金额一般占 LED 生产线总投入的 50%以上。随着芯片厂商在 Mini LED 领域的投资加大,MOCVD 设备的需求有望随之增加。
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全球化合物半导体 MOCVD 外延设备年增量预测(台)
氮化镓基 MOCVD 占据 MOCVD 市场的主要份额,2018 年占比约 77%。以不同半导体材料为基础制成的 LED 芯片会发出不同波长的光,从而实现不同颜色的 LED。目前380~570nm 的蓝、绿光 LED 由 GaN 材料制作,由于蓝绿光 LED 芯片成本较低,且搭配荧光粉可产生白光,因此在照明领域普遍使用。与之对应的,氮化镓基 LED MOCVD 设备在 MOCVD 市场中占据最大份额,根据 LED inside 数据,2018 年氮化镓基 MOCVD 的新增数量为 215 台,约占全部 MOCVD 市场份额的 77%。
2017 年以前,MOCVD 设备主要由爱思强和维易科等国际厂商高度垄断,2017 年公司推出新一代 MOCVD 设备 Prismo A7,性价比显著优于竞争对手,逐步成为国内外氮化镓基蓝光 LED 器件制造的首选设备。根据 IHS Markit 数据,2018 年下半年起,公司的MOCVD 占据全球新增氮化镓基 LED MOCVD 设备市场的 60%以上,占据领先地位。
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2016-2021Q3 公司 MOCVD 设备收入及增速
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