内存|存储芯片没有好消息！闪存|内存颗粒|存储芯片|没有

半导体进入下行周期，存储作为半导体中举足轻重的一个门类，尤为疲软。因为通货膨胀导致PC产品销售停滞、DRAM供应过剩，DRAM价格已经连续七个月下滑。所以，关于存储，最近真的是没有什么好消息。
另一边，新型存储也一直不温不火，各新型存储技术优势颇多，但真正商用还存在各种挑战。
传统存储芯片技术和厂商在艰难中前行
半导体行业迎来下行周期，存储厂商苦不堪言。从市场角度来看，第三季度，三大存储厂商的销售额都感受到了急剧下滑，三星电子的DRAM销售额为71.33 亿美元，环比下降34.2%；SK 海力士录得52.46亿美元，下降25.3%；
美光科技录得43.5亿美元，下降 26.3% 。而且SK海力士还预计将在第四季度出现亏损，这是10年来的首次。
虽说汽车存储市场正在快速崛起，但相比之下，汽车存储器市场依旧是很小的一部分，据Yole的最新报告，2021年汽车存储器市场仅占全球存储器市场收入的2.6% 。
而且，汽车市场在质量、资格、可靠性、功能安全和供应寿命方面有特定要求，在Yole看来，汽车存储器业务正迎来前所未有的挑战和机遇。
从技术来看，在“存储器”和“性能墙”两大高墙之下，传统存储发展越来越吃力。由于工艺完整性、成本、单元泄漏、电容、刷新管理和传感裕度方面的挑战，存储单元缩放正在放缓。
业界很早就关注到了传统存储在制程微缩上面临的困境，继续微缩将要花费更多时间、成本。但即使这样，存储巨头们仍在先进技术上不断追赶。
为了提高NAND Flash的容量，厂商们正在利用3D堆叠技术盖高楼，拼层数。DRAM领域则聚焦制程迭代，随着工艺来到10nm及以下，价格高昂的EUV光刻机和3D堆叠技术开始成为厂商们比拼的关键利器。
前不久，美光的DRAM技术1β（1-Beta）节点正式量产出货，而三星和SK海力士还停留在1α阶段。英特尔也重返了存储市场，表示希望重新思考DRAM存储器的架构，及与计算平台结合的基本面，以此来实现突破性的效能提升。
如今的CPU、GPU和各种SoC通常利用SRAM（静态随机存取存储器）来处理数据缓存，即使是智能手机的通用处理器、图形芯片和应用处理器也携带着巨大的缓存，虽然逻辑芯片可以随着工艺勉强扩展下去，但是SRAM单元却一直落后。
台积电的一篇论文中表示，SRAM的微缩似乎已经完全崩溃。
据WikiChip的报道，在今年的第68届年度IEEE国际电子器件会议 (IEDM) 上，台积电谈到其新的N3节点中高密度SRAM位单元大小根本没有缩小，在0.021μm?处与他们的N5节点的bitcell大小完全相同。
然而，在0.0199μm?，它只有5%的缩放(或0.95倍收缩) 。
也就是说，台积电的N3B和N3E虽都提供了1.6倍和1.7倍的芯片级晶体管缩放，但SRAM却只有1倍和1.05倍的缩放。

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SRAM的缩放进入极限不仅是台积电一家感受到了，英特尔最近宣布的Intel 4进程SRAM 缩放比例已从历史上的0.5-0.6倍放缓至0.7-0.8 倍。所以可以看出，在3nm及以下节点按照传统方式进行SRAM缩放似乎已经结束。
所以SRAM也进入了一个有趣的拐点，未来是寻找更好的替代品还是新的连接方式和新的晶体管。Anton Shilov在他2022年12月16日发表的文章提到，由于SRAM单元区域扩展缓慢，CPU和GPU等处理器可能会变得更加昂贵。就目前来说，唯一可行的方法是采用更多小芯片设计，并将较大的缓存分解为在更便宜的节点上制造的单独芯片。
由于传统存储所面临的技术挑战，所以这几年业界对新型存储寄予厚望。各种新型存储技术未启用先火，各种优势扑面而来，似乎要掀起一轮存储的革命。

内存|存储芯片 没有好消息！

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