内存|存储芯片没有好消息！( 二 ) 闪存|内存颗粒|存储芯片|没有

为何新型存储还没“出人头地”？
以PCM、MRAM、ReRAM、FRAM等为代表的新型存储器技术，分别对应相变、磁变、阻变、铁电，各有千秋，也因此集聚了不同阵营。但新兴技术的市场应用有限，尚无法构成实质性替代。
PCM（相变存储器）被业界公认为是工艺最为成熟的，PCM比NAND拥有更快的写入周期、更快的访问时间、低功耗、可执行等优点，因此也成为未来最有望取代当前传统存储器的高速存储介质。
PCM 在市场上的预期增长完全取决于美光与英特尔联合开发的3D XPoint技术。
但随着美光于2021年3月退出该市场，再加上英特尔Optane内存的消亡，PCM也陇上了一层阴霾。Optane是相变存储器（PCM）的一种变体，英特尔此前试图用PCM来替代NAND闪存，但因为成本很高而以失败告终。
PCM阵营中还有意法半导体（ST），ST搭载ePCM的Stellar 车用MCU计划于2024年量产。
不过，即使是英特尔和美光这样的国际半导体制造商也很难让PCM具有价格竞争力，接下来是否还会有更多的企业追逐它也让人有所怀疑。
MRAM（磁阻随机存取存储器）因兼具SRAM的高速和DRAM的高密度，并且在性能和耐用性方面优于NAND 闪存，以及微缩至22纳米以下的潜力，相当适合应用在嵌入式记忆体的领域。
MRAM已经存在多年，但它的采用一直很缓慢，部分原因是制造方面的挑战，还因为芯片保存的数据相对较少。
MRAM是三星、台积电先后投入研究的新型存储产品。早在2002年，三星电子开始研究MRAM，2019年，三星电子推出了一款基于28nm的内置MRAM产品。
今年，三星电子在IEDM上以论文形式发表了下一代MRAM的相关研究开发成果，三星在14nm FinFET工艺中，采用了现有28nm工艺中的磁隧道结（MTJ），摘要称，将MTJ缩小到14纳米FinFET节点后，面积缩小了33%，读取时间加快了2.6倍。
另外，2022年6月中旬，台湾工研院携手台积电共同发表SOT-MRAM技术，该技术能在低电压、电流的情况下，达到0.4纳秒的高速写入，并具备7万亿次的耐受度。
【内存|存储芯片没有好消息！】此外，瑞萨也在主攻MRAM，其已在22纳米工艺上实现高速STT-MRAM 。

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上图是三星eMRAM bit-cell阵列在14nm逻辑平台上的横截面TEM图（图源：IEDM）
MRAM的市场前景也被广泛看好，日本东北大学国际集成电子研究中心（CIES）预计MRAM将在AI服务器和高性能计算机中发挥作用。据IMARC Group的报告，2022年全球MRAM市场规模达到4.271亿美元。
展望未来，IMARC Group预计到2028年该市场将达到45.25亿美元，2023-2028年的增长率 (CAGR) 为 44.5% 。

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MRAM出货存储容量的预计增长（来源：Coughlin Associates 和 Objective Analysis 估计）
ReRAM的优势主要体现在更高的耐用性、对环境的稳健性、低功耗和高速，而且另外很重要的一个优势是ReRAM可以使用后端 (BEOL) 制造进行整合，从而提高集成灵活性。
ReRAM的商用化似乎正在加速。2022年11月，美国晶圆代工厂SkyWater生产出第一批集成以色列半导体公司Weebit的嵌入式ReRAM的硅晶圆，Weebit Nano的ReRAM封装在一个256 kb阵列中，一个RISC-V微控制器，以及嵌入式系统应用程序所需的其他接口和外围设备（如下图所示）。
国内方面，昕原半导体、亿铸科技等也都推动基于ReRAM存储介质的存算一体技术的商用，此前昕原半导体首款28nm制程ReRAM产品SE-1已正式向工控领域品牌客户量产出货。

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