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众所周知 , 在华为被断芯后 , 中国科技几乎都聚焦于半导体产业 , 就是为了能够在芯片制造方面取得突破 , 从而打破美芯片“卡脖” , 实现芯片自由 。 经过;而一段时间的努力 , 不可否认 , 中国在半导体领域有了很大的进步 , 尤其在芯片封装工艺上取得了重大突破 。 目前 , 中国已经成功突破了4nm封装工艺 , 和全球顶尖水平相当 。 那么这是否就意味着 , 中国芯崛起了?
芯片制造过程很复杂 , 主要分为三个环节 , 其一就是芯片设计 , 华为海思在这方面是强项 , 华为手机所使用的麒麟芯片就是由华为海思设计 , 然后交给台积电等芯片代工厂进行生产 。 所以在华为被断供后 , 华为海思设计的芯片就无法被代工了 。
其二就是芯片制造 , 这也是目前中国芯片产业所面临的最大难题 。 芯片制造过程中自然离不开制造设备、原材料等等 。 尤其要制造高端芯片就少不了EUV光刻机 , ASML公司受限于芯片禁令 , 无法出货给中国科技企业 , 所以这也给我国制造高端芯片造成了不小的麻烦 。
其三就是芯片封装 , 芯片制造出来以后 , 需要经过封装才能使用 。 封装工艺的高低也能直接影响芯片的良品率 , 所以封装工艺在整个芯片制造过程也起到了关键性的作用 。
就目前来看 , 我国在芯片封装技术是处于领先水平的 , 4nm封装工艺的突破 , 确实给了中国芯一个机会 。 目前先进制程工艺其实已经无限接近于物理极限了 , 所以如果想要打造高端芯片 , 或许要解决的并不是EUV光刻机的问题 , 而是找到另外的方法 , 而封装技术可能就会成为一个新的突破口 。
以苹果为例 , 苹果发布的M1 Ultra芯片就是通过台积电CoWoS-S封装技术实现了性能叠加 , 实现了1+1>2的效果 。 而华为也申请了芯片叠加专利 , 只要将两枚14nm芯片叠加在一起 , 就能拥有等同7nm芯片的性能水平 。
话说回来 , 就算中国的封装工艺还没有达到顶尖水平 , 这也是全球芯片产业需要思考的问题 。 物理极限是绕不开的 , 这也是全球芯片发展的瓶颈 。 所以与其将更多的精力放在研发EUV光刻机上 , 还不如想想有什么新技术能够取代光刻机 , 一旦中国芯抓住了这个机会 , 或许就能实现弯道超车 。
最后 , 中国芯片封装工艺有所突破 , 对于中国芯的发展是具有积极意义的 。 在顶尖的封装工艺加持下 , 通过多芯片的重组堆叠 , 我们也能实现和高端芯片同样的性能水平 。 而这也将降低中国芯对光刻机的依赖 , 也算是“去美化”进程中的重要一步 。
【摩托罗拉|4nm封装工艺迎来突破,中国芯崛起了?哪有那么简单!】当然 , 芯片制造这条路并不好走 , 欧美国家起步较早 , 给中国芯建起了重重技术壁垒 。 我们只能“关关难过关关过” , 一步一步来 , 不能太心急了!只要每一步都走
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