芯片|14nm芯片做大，性能达到7nm水平，不就解决中芯国际的难题了？中芯国际|CPU|光刻机|it芯片

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关于芯片制造难题，有网友想出了一个办法，就是把14nm芯片做大，性能上达到7nm芯片的性能，这样不是可以代替7nm芯片了吗？这种方法可行吗？
如果是电脑的话或许可以一试，但是如果是手机，那就不用考虑了，肯定行不通！
下面我们一起来看看原因吧！
先来简单了解一下中芯国际
中芯国际是总部位于上海的内地企业。尽管在技术和工艺上和台积电相差很大，但是中芯国际仍是国内芯片代工的龙头。

中芯国际是一家集成电路芯片代工和制造的企业，成立于2000年4月，总部位于上海市浦东新区。

2000年4月3日，张汝京筹集了14亿美元注册了中芯国际（SMIC），并把公司地址定在上海。同年12月21日，中芯国际在上海正式成立，中国自己的芯片制造企业诞生了。
2001年9月25日，中芯国际发布FAB 1 ，宣布公司第一片0.25微米产品上线生产。
2002年中芯国际北京分公司成立，并量产了0.18微米的芯片， 2002年12月，中芯国际的8英寸月产能达到30000片。
2003年中芯国际开始与国际巨头合作，先是和日本东芝签署技术授权和代工协议，接着又与摩托罗拉签署长期战略合作协议，同年设立了天津分公司。
2004年，成立4年的中芯国际就在美国、香港上市，成为了世界领先的半导体制造企业。

但在发展的关键时刻，公司陷入了不断的诉讼与人士变动。最后中芯国际创始人离职，内部人事动荡，公司更是出现了5年的连续亏损。
为了重新走上正轨， 2015年2月13日，中芯国际与国家集成电路基金合作，获得了30亿元的融资。这笔资金除了公司日常经营，还债之外，还有一个重要任务，就是“攻克14nm技术” 。
2017年，技术狂人”梁孟松加入中芯国际，自此中芯国际在工艺上突飞猛进，并于2018年末，实现了14纳米工艺技术。
随后又把良品率从3%提高到95% ，中芯国际再次进入发展的快车道。
7nm工艺必须要使用EUV光刻机目前台积电、三星电子已经进入了3nm时代。

至于7nm工艺，造在2018年台积电、三星就突破了。但是三星在成品率上低于台积电，在漏电率上高于台积电。
而其他的厂商，如：英特尔、中芯国际直到现在都没有突破7nm工艺制程。
为什么7nm工艺如此难突破呢？

当工艺制程达到一定程度后，同时晶体管之间的距离降低到一定程度，这时候会出现量子隧穿效应，此时会出现一些不规律的电子，这些电子造成了芯片的漏电，也需要消耗电量控制电子，进而导致芯片发热，影响芯片的性能。
而解决这个问题需要从几个方面同时下手，

制造材料的升级，材料领域的研发是需要投入大资金的，而且成功的概率很低；
需要高精尖的设备—EUV光刻机；
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