终结FinFET晶体管!台积电正式公布2nm:功耗降低30%
6月17日早间消息 , 台积电在今日举办的2022技术论坛上 , 首度推出下一代先进制程N2 , 也就是2nm 。
技术指标方面 , 台积电披露 , N2相较于N3 , 在相同功耗下 , 速度块10~15%;相同速度下 , 功耗降低25~30% , 开启高效能新纪元 。
就纵向对比来看 , 2nm之于3nm的提升 , 似乎不如3nm之于5nm , 包括但不限于性能、功耗、密度等所有核心参数 。
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【终结FinFET晶体管!台积电正式公布2nm:功耗降低30%】在微观结构上 , N2采用纳米片电晶体(Nanosheet) , 取代FinFET(鳍式场效应晶体管) , 外界普遍认为 , 纳米片电晶体就是台积电版的GAAFET(环绕栅极晶体管) 。
台积电还表示 , N2不仅有面向移动处理器的标准工艺 , 还会有针对高性能运算和小芯片(Chiplet)的整合方案 。
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时间节奏方面 , N2将于2025年量产 。
另外 , 根据台积电最新技术路线图 , 第一代3nm(N3)定于下半年量产 , 3nm也会比较长寿 , 后续还有N3E、N3P和N3X 。
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