台积电|终结FinFET晶体管！台积电正式公布2nm：功耗降低30% FinFET|3纳米|3nm|2nm|终结FinFET晶体

6月17日早间消息，台积电在今日举办的2022技术论坛上，首度推出下一代先进制程N2 ，也就是2nm 。
技术指标方面，台积电披露， N2相较于N3 ，在相同功耗下，速度块10~15%；相同速度下，功耗降低25~30% ，开启高效能新纪元。
就纵向对比来看， 2nm之于3nm的提升，似乎不如3nm之于5nm ，包括但不限于性能、功耗、密度等所有核心参数。

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在微观结构上， N2采用纳米片电晶体（Nanosheet），取代FinFET（鳍式场效应晶体管），外界普遍认为，纳米片电晶体就是台积电版的GAAFET（环绕栅极晶体管）。
台积电还表示， N2不仅有面向移动处理器的标准工艺，还会有针对高性能运算和小芯片（Chiplet）的整合方案。

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时间节奏方面， N2将于2025年量产。
另外，根据台积电最新技术路线图，第一代3nm（N3）定于下半年量产， 3nm也会比较长寿，后续还有N3E、N3P和N3X 。
【台积电|终结FinFET晶体管！台积电正式公布2nm：功耗降低30%】
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