智能穿戴芯片|三星4纳米工艺，会是高通新一代智能穿戴芯片的良药？

2020年，高通在推出Wear 4100系列芯片之后，目前已有一年多时间没有更新Wear系列智能穿戴芯片了。在竞争愈发激烈的智能手表市场里，面对苹果和三星的竞争，许多需要对外采购智能穿戴芯片的厂商，都迫切希望高通推出新款芯片，以提升产品的性能和续航表现。
最近，外媒Winfuture曝光了高通新款智能穿戴芯片Wear 5100系列，共包括Wear 5100和Wear 5100+两款产品，差异之处在于后者集成QCC5100协处理器，用于提升智能手表在低电量模式下的续航时间。在用户们都关心的制程工艺的选择上，该系列芯片将跨越多个制程工艺节点，直接由上一代的12纳米跳跃至4纳米工艺，紧跟旗舰手机SoC的发展步伐。
对比上一代产品，高通Wear 5100系列在制程工艺上的升级可以用“飞跃”来形容。对于许多希望提升智能手表续航能力的厂商来说，Wear 5100系列的到来或是个不错的新选择。
性能和功耗兼得？在智能手表领域，大致有两种不同的产品发展方向，一种着重追求长续航能力，另一种则更重视智能手表的“全智能”体验。造成这一局面的一大因素是芯片，一些厂商即使想同时追求性能和续航，但因芯片算力和功耗的原因使他们没得选，要么选低功耗芯片做轻智能手表，要么选择高通的Wear系列芯片发展全智能手表。

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在去年九月份，市面上就有消息称Wear 5100系列将使用A73+A53架构，重点提升芯片的性能上限。不过从最新曝光的信息来看，高通似乎调整了Wear系列芯片的发展策略，有意提升芯片的功耗表现。
高通Wear 5100系列搭载四颗A53核心（最高1.7Ghz），GPU为Adreno702，支持eMMC 5.1闪存和4GB LPDDR 4X内存。与上一代的Wear 4100系列相比，CPU核心规格不变，但Wear 5100系列在GPU和闪存等方面均获得一定幅度的升级。其中，三星4纳米制程工艺无疑是本次升级中的核心，在纸面参数上能够看出，高通并未选择盲目堆参数，而是希望通过更换制程工艺的方式提升芯片的性能并降低功耗，尝试改善全智能手表续航能力弱的问题。
除此之外，小雷还发现Wear 5100系列的一些新特性。在摄像头的支持上，Wear 5100系列支持双摄组合，分别支持最高1300万像素和1600万像素传感器，同时，单摄使用时支持录制1080P画质视频，高通或意在推动智能手表的多元化发展。
与智能手机类似，智能手表的许多新功能和新特性都需要芯片的支持。以智能手表的影像能力为例，面向学生开发的智能手表多搭载前置镜头，Wear 5100系列的到来提升手表视频录制画质的同时，还得以让部分厂商拓展智能手表的玩法，使用前置主摄和超广角的组合。

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但也值得注意的是，即使是选择使用4纳米制程工艺的Wear 5100系列，也难以在根本上提升智能手表的续航水平。早已使用5纳米芯片的三星Galaxy Watch4，正常使用的情况下也只能做到两天一充。
智能手表续航能力的强弱与否，与系统调度有着重要的联系。使用Android和Wear OS等全智能系统的厂商们，若想在追求手表性能的同时提升智能手表续航时间，现阶段只能内置一套完整的低功耗芯片。在小雷看来，使用4纳米制程工艺的Wear 5100系列让智能手表厂商们有了新选择，不要再使用功耗更高的12纳米甚至28纳米的芯片，便于进一步优化以提升产品的实际续航表现。
智能穿戴芯片领域也需内卷在前几年，可能除了苹果和三星以外，其他厂商并未完全在智能穿戴芯片领域里发力。反应到制程工艺的应用上，高通2020年发布的Wear 4100系列和2018年的Wear 3100，分别使用12纳米和28纳米制程工艺，紫光展锐的W307和瑞芯微的RK2108D也都使用28纳米工艺。