智能穿戴芯片|三星4纳米工艺,会是高通新一代智能穿戴芯片的良药?

2020年,高通在推出Wear 4100系列芯片之后,目前已有一年多时间没有更新Wear系列智能穿戴芯片了。在竞争愈发激烈的智能手表市场里,面对苹果和三星的竞争,许多需要对外采购智能穿戴芯片的厂商,都迫切希望高通推出新款芯片,以提升产品的性能和续航表现。
最近,外媒Winfuture曝光了高通新款智能穿戴芯片Wear 5100系列,共包括Wear 5100和Wear 5100+两款产品,差异之处在于后者集成QCC5100协处理器,用于提升智能手表在低电量模式下的续航时间。在用户们都关心的制程工艺的选择上,该系列芯片将跨越多个制程工艺节点,直接由上一代的12纳米跳跃至4纳米工艺,紧跟旗舰手机SoC的发展步伐。
对比上一代产品,高通Wear 5100系列在制程工艺上的升级可以用“飞跃”来形容。对于许多希望提升智能手表续航能力的厂商来说,Wear 5100系列的到来或是个不错的新选择。
性能和功耗兼得?在智能手表领域,大致有两种不同的产品发展方向,一种着重追求长续航能力,另一种则更重视智能手表的“全智能”体验。造成这一局面的一大因素是芯片,一些厂商即使想同时追求性能和续航,但因芯片算力和功耗的原因使他们没得选,要么选低功耗芯片做轻智能手表,要么选择高通的Wear系列芯片发展全智能手表。
智能穿戴芯片|三星4纳米工艺,会是高通新一代智能穿戴芯片的良药?
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在去年九月份,市面上就有消息称Wear 5100系列将使用A73+A53架构,重点提升芯片的性能上限。不过从最新曝光的信息来看,高通似乎调整了Wear系列芯片的发展策略,有意提升芯片的功耗表现。
高通Wear 5100系列搭载四颗A53核心(最高1.7Ghz),GPU为Adreno702,支持eMMC 5.1闪存和4GB LPDDR 4X内存。与上一代的Wear 4100系列相比,CPU核心规格不变,但Wear 5100系列在GPU和闪存等方面均获得一定幅度的升级。其中,三星4纳米制程工艺无疑是本次升级中的核心,在纸面参数上能够看出,高通并未选择盲目堆参数,而是希望通过更换制程工艺的方式提升芯片的性能并降低功耗,尝试改善全智能手表续航能力弱的问题。
除此之外,小雷还发现Wear 5100系列的一些新特性。在摄像头的支持上,Wear 5100系列支持双摄组合,分别支持最高1300万像素和1600万像素传感器,同时,单摄使用时支持录制1080P画质视频,高通或意在推动智能手表的多元化发展。
与智能手机类似,智能手表的许多新功能和新特性都需要芯片的支持。以智能手表的影像能力为例,面向学生开发的智能手表多搭载前置镜头,Wear 5100系列的到来提升手表视频录制画质的同时,还得以让部分厂商拓展智能手表的玩法,使用前置主摄和超广角的组合。
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但也值得注意的是,即使是选择使用4纳米制程工艺的Wear 5100系列,也难以在根本上提升智能手表的续航水平。早已使用5纳米芯片的三星Galaxy Watch4,正常使用的情况下也只能做到两天一充。
智能手表续航能力的强弱与否,与系统调度有着重要的联系。使用Android和Wear OS等全智能系统的厂商们,若想在追求手表性能的同时提升智能手表续航时间,现阶段只能内置一套完整的低功耗芯片。在小雷看来,使用4纳米制程工艺的Wear 5100系列让智能手表厂商们有了新选择,不要再使用功耗更高的12纳米甚至28纳米的芯片,便于进一步优化以提升产品的实际续航表现。
智能穿戴芯片领域也需内卷在前几年,可能除了苹果和三星以外,其他厂商并未完全在智能穿戴芯片领域里发力。反应到制程工艺的应用上,高通2020年发布的Wear 4100系列和2018年的Wear 3100,分别使用12纳米和28纳米制程工艺,紫光展锐的W307和瑞芯微的RK2108D也都使用28纳米工艺。