寡头|存储器行业寡头垄断长江存储入局初显锋芒( 二 ) dtof|专利|技术|扫地机|传感|单

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图片来源：民生证券
不过，长江存储作为国内领先的存储厂商，正在不断缩短和国际巨头们的差距。民生证券研报显示，截至2020年末，长江存储取得全球接近1%的市场份额，成为六大国际原厂以外市场份额最大的玩家。
如果根据长江存储的产能规划测算，2025年长江存储的全球市占率将达到约6%，有望打破国际垄断的格局，引领国产NAND产业的崛起。
图片来源：民生证券
一波三折的发展历程
公开资料显示，长江存储成立于2016年，是由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金和湖北省科投等机构共同出资设立的，是一家专注于3D NAND闪存及存储器解决方案的半导体集成电路企业。
然而长江存储的历史背景不止于此，其前身是成立于2006年的武汉新芯，是湖北省和武汉市进军集成电路制造领域的产物。
武汉新芯成立之初，是从事DRAM（动态随机存储）的生产，可惜不久后便遭遇了DRAM芯片的价格低谷周期，于是转而为美国飞索半导体生产NAND Flash闪存。
但好景不长，2008年经济危机来袭，武汉新芯的订单也因此被波及，处境十分艰难。此时，多家外资芯片大厂纷纷向武汉新芯抛出橄榄枝，提出了合资计划。但出于对自主创新的坚持，武汉新芯还是放弃了这个机会。
2014年，国家集成电路大基金成立，发展存储器芯片正式被确定为国家战略，武汉新芯也终于得以拯救。
2016年，集成电路产业基金和其他机构出资240亿美元，准备将武汉新芯打造成一个世界级的半导体存储企业，集中精力研究生产NAND Flash和DRAM。
随后紫光集团也加入了这个阵营，最终各方在武汉新芯的基础上共同出资成立了长江存储。
自主研发Xtacking架构，实现芯片跨越式发展
成立后的长江存储深知自身的技术实力不够，便通过自主研发和国际合作相结合的方式，于2017年成功设计并制造了中国首批3D NAND 闪存芯片。
虽然当时长江存储研发的32层3D NAND Flash芯片取得了突破性的进展，但与国外的存储器巨头相比，还只能算是个弟弟。
在经历刻苦钻研后，2018年长江存储发布了一项业内堪称颠覆性的技术- Xtacking，在闪存技术架构上成功实现创新。
在传统的3D NAND架构中，存储单元和逻辑电路是在同一片晶圆上加工出来的。随着NAND层级不断叠加，外围逻辑电路的面积就会越来越大，相应的存储密度就会降低。

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Xtacking技术则是将存储单元和逻辑电路放在两片晶圆上分别加工，最后将逻辑电路置于存储单元上，实现了面积的减少和存储密度的提高。这样不仅能缩短研发及生产周期，还可以极大的提升闪存芯片的存取速度。

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基于Xtacking技术，2019年长江存储量产出64层256 Gb TLC（每单元存储 3 比特数据） 3D NAND闪存，并成功打入华为Mate40 供应链，开始在存储芯片领域闯出一番自己的天地，具备一定竞争力。
【寡头|存储器行业寡头垄断长江存储入局初显锋芒】2020年，长江存储更是直接跳过96层NAND的研发，成功制造出128层TLC/QLC 两款产品，可以说是公开叫板三星同时期量产的96层NAND。
而长江存储的128层NAND Flash也引起了国外著名逆向分析机构TechInsights的注意，TechInsights对一款搭载有长江存储128层闪存芯片的产品进行了拆解和分析。
通过与三星、美光和SK海力士的128层闪存芯片对比，TechInsights认为，长江存储的128层堆叠工艺无论在容量、位密度还是I/O速度方面都足以与其他厂商的产品竞争，技术方面已赶上业内领跑者。

寡头|存储器行业寡头垄断 长江存储入局初显锋芒( 二 )

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