根据制造商分类|五款pcie4.0ssd横评测试产品介绍根据制造商分类

根据制造商分类， SSD可以分为原厂（闪存厂商自有品牌）和非原厂（其他模组厂出品）两种。根据DRAM缓存的配置情况， SSD又可以分为DRAMBased（DB有DRAM缓存）和DRAMLess（DL无DRAM缓存）两种。今天为大家带来的是五款PCIe4.01TBSSD横评， DB和DL的性价比大战谁能笑到最后？

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五款测试产品介绍：
五款横评产品中有两款属于DB有缓存方案：三星980PRO是最早问世的原厂PCIe4.0SSD ，采用8通道主控搭配三星第六代V-NAND闪存，闪存接口速率1200MT/s 。

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英睿达P5Plus使用美光8通道旗主控搭配美光176层堆叠3DTLC闪存，是登场最晚的原厂PCIe4.0SSD ，闪存接口速率1600MT/s ，但读取速度却只有不到6800MB/s 。

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DL方案通常使用四通道设计，相比八通道的DB方案的功耗和温度更低。雷克沙NM760使用慧荣SM2269XT主控搭配江波龙封装的美光176层堆叠3DTLC闪存。

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西数SN770使用闪迪四通道主控搭配112层堆叠BiCS53DTLC闪存。

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致态TiPlus7100上市最晚，也最为特殊，它采用四通道DRAMLess方案，搭配长江存储新一代TLC闪存颗粒，晶栈?Xtacking?3.0架构带来2400MT/s的高速闪存接口。

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DL方案由于闪存通道数量较少，性能上往往不占优势，通常是以中端产品的形象出现。而致态TiPlus7100应用下一代2400MT/s闪存I/O接口，弥补了主控闪存通道数量劣势，在性能上同DB方案产品看齐。

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五款PCIe4.01TBSSD都采用了单面PCB布局，保修5年。
接下来的性能测试分成三类：理论性能测试、模拟场景测试、实际应用测试。
理论性能测试：
理论性能测试1：CrystalDiskMark
CrystalDiskMark测试的内容主要是100%顺序读取、100%顺序写入、100%4K随机读取、100%4K随机写入四个极限状态的带宽。

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CrystalDiskMark使用1MB区块Q8T1和128KB区块Q32T1两种方式测量顺序读写速度，英睿达P5Plus是1MB区块读写更快，而三星980PRO则是128KB区块读写更快。西数SN770和雷克沙NM760受制于有限的闪存通道数量，未能跑满PCIe4.0x4接口的满速。而致态TiPlus7100利用超前的2400MT/s闪存接口，在四通道下实现比八通道竞争对手更快的读写能力。
理论性能测试2：缓存容量及缓外写入速度
CrystalDiskMark只能测试SLC缓存内的读写性能，大家关心的缓存容量以及缓存外写入速度可以依靠IOMeter在空盘无文件系统条件下测得。

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在1800秒IOMeter测试的初始阶段可以看到各盘的SLC缓存内写入速度：最快的是致态TiPlus71001TB的6030MB/s ，其次是三星980PRO1TB的5140MB/s、英睿达P5Plus1TB的5130MB/s ，最后是西数SN7701TB的4905MB/s和雷克沙NM7601TB的4528MB/s 。

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空盘条件下SLC写入缓存容量从大到小依次是：西数SN770的360GB、雷克沙NM760的170GB、致态TiPlus7100的160GB、三星980PRO的120GB和英睿达P5Plus的100GB 。西数SN770因为是全盘SLC策略，缓存用尽后闪存空白块也用完了，直接进入边释放边写入状态（写入速度大约560MB/s）。英睿达P5Plus虽然不是全盘SLC ，但也采取了缓存用尽后直接进入边释放边写入阶段（写入速度大约1365MB/s）。致态TiPlus7100和雷克沙NM760在缓存外都是先经历一段TLC直写过程（速度分别为2070MB/s和1960MB/s）,然后进入边写入边释放过程（速度分别为738MB/s和864MB/s）。三星980PRO比较特殊，它在写入缓存用完后呈现一个速度缓慢爬坡的过程，最后变成TLC直写。