顺丰速运|激动人心，国产高速充电芯片突破并量产，手机进入光速秒充时代苹果|黑恶势力|iPhone

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随着中美科技战打响，几乎在一夜之间，中国半导体产业发展现况就被一下子摆到了台面上，有数据显示， 2018年中国芯片消费量就已经占到了全球的33% ，而根据2020年IC Insights发布的数据显示，中国大陆IC产量仅占全球的15.9% 。

众所周知，我国是智能手机生产大国，对不同功能芯片的需求量是非常大的，由于我国半导体技术起步得比较晚，也导致了一些制程不是很高的芯片依然要受制于人，就比如电源管理芯片在我国需求量就非常大，只要涉及到有电能存储的智能设备，都会用到此类芯片，我国早期智能手机上的电源管理芯片都是依赖于进口的，但是随着某些国家贸易保护抬头，我国随之也掀起了一股半导体自主研发热潮，以减少核心芯片受制于人的局面。

其中最为耀眼的要数上海南芯半导体科技，早在2016年就成功研发了业界上第一颗支持Type-C Power Delivery协议的升降压充放电芯片SC8801 ，一度解决了提升移动电源输出效率难题，并成功量产，几年时间南芯多个型号的电源管理芯片成功进入到智能设备供应链，比如华为、OPPO、三星、海翼和欣旺达等知名厂商。

2021年，南芯又推了出手机界功率最大和效率最高的单芯片120W超高压电荷泵充电芯片SC8571 ，这也是目前在智能手机上唯一单芯片可以支持到120W的充电芯片，根据南芯提供的资料显示，如果采用2颗SC8571并联方案功率最高可以达到160W ，如果采用3颗SC8571并联，则可以实现最高200W的充电功率。

根据南芯最新消息，国产手机“真我 GT Neo 3” 就搭载了南芯半导体 SC8571 超高压电荷泵快充芯片，这也是世界上首款充电速度最快的智能手机。

那么，这款搭载有南芯超高压电荷泵快充芯片的GT Neo 3 ，充电效率表现到底如何呢？
根据realme官网显示，真我 GT Neo3充电部分是基于UDCA架构，拥有双电荷泵芯片并联技术，充电转化率高达98% ，充电5分钟就可以达到50%的电量， 13~15分钟即可满电，极大的缩短了充电等待时间，有效的解决了用户续航焦虑。

除此之外，真我 GT Neo3还配有独立的充电控制芯片，支持电压检测和异常一键断电、电池寿命保护等38道安全防护。

说到真我 GT Neo 3 ，小编在这里有必要多一嘴，因为昨天我发了篇关于“真我 GT Neo 3”的微头条，居然有人不知道这是什么品牌。
“真我” ，成立于2018年，产品定位是为年轻人打造极具性价比的潮牌手机，品牌理念是“敢于超越” ，是一个地道的国产品牌。

由于出道时间短，所以这个品牌很多人还比较陌生，特别是英文名“realme”更是让英文水平不好的大叔大妈们还以为是一个外来品牌，但你只要知道OPPO这个品牌，我想大家会立刻熟悉起来，没错，它就是OPPO旗下的一个独立营运品牌。