三巨头决战EUV光刻胶( 二 ) 来源：内容由半导体行业观察

除了更少的光子暴露在光刻胶上之外， EUV光刻胶也吸收更少的光子。这主要因为光刻胶溶液是光酸产生剂、粘合促进剂和稳定剂的极其精确的混合物。那就意味着如果在过程中出现差错，会是一个代价高昂的错误。 2019年，台积电的Fab14B光刻胶出现问题，最终给他们带来高达5.5亿美元的损失。使用EUV光刻胶，这种平衡行为更加难以控制，因为特定的混合物会导致吸收更少。对EUV的需求以及1-2次更少光子和更少吸收的需求相结合，为经典光刻胶行业提供了一个成熟的机会。这就吸引厂商进入干燥抗蚀剂（dryresist）市场。

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LamResearch正试图成为当中的搅局者。他们将使用化学气相沉积工艺在金属光刻胶上分层，而不是使用旋涂机的湿式光刻胶（wetphotoresist）技术。 LamResearch声称干式光刻胶技术（dryresist）与湿式光刻胶相比具有多项优势。由于是一种密集沉积的金属（metal），它不会与许多其他化学物质混合。这允许金属光刻胶仅作为吸收剂。回到吞吐量，这意味着每个晶圆通过和功率降低了2倍。每台EUV工具吞吐量几乎翻倍，这将大大降低成本。

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灵敏度并不是唯一的优势。 Lam的干式光刻胶也是采用干法开发的。在湿显影中，光刻胶用水或酸洗涤。当光刻胶由于毛细作用力溶解掉时，图案化的线条和其他特征可能会坍塌。随着最小金属间距(MMP)超过28纳米，这越来越成为一个问题。台积电的N5和N4工艺节点的MMP分别为30nm和28nm ，因此当前的出货节点正好处于边缘。

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然而，东京电子仍有创新在进行中。虽然他们同意现有的开发冲洗工艺确实会导致超过28nm间距（14nm临界尺寸）的生产线塌陷，但他们发现了一种新的溶剂冲洗工艺，可以将其扩展到~24nm（12nm临界尺寸）。这将允许将湿抗蚀剂方法缩放到24纳米。

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但并不是湿抗蚀剂的所有问题都解决了，因为我们还是很难洗掉所有的光刻胶。如果所有的光刻胶没有被洗掉，以后的步骤就会有问题。残留的光刻胶在蚀刻时会导致孔洞，最终相互“亲吻” 。残留物也可能导致这些孔完全丢失。
东京电子目前对此的解决方案是简单地蚀刻残留的光刻胶。虽然这是一个简单的解决方案，但可能会出现复杂情况，因为它会导致孔变大或倾斜。斜面效果不一定是负面的，但也不是在所有用例中都是最佳的。

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LamResearch声称他们的工艺可以实现5nm节点上使用的现有32nm间距，与现有的湿式光刻胶工艺相比，其方案具有更低的可变性和更好的宽容度。我们无法与LamResearch分享的硬性数字进行争论。当晶圆厂追求特征尺寸、性能和功耗时，干法工艺总体上更好。由于显示了当前部署的工具和流程与即将推出的工具和流程，因此LamResearch进行的比较可能被认为是不诚实的。

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与此同时，东京电子正在尽最大努力延长现有产品的寿命。他们的CleanTrackLithiusProZ与每台ASMLEUV机器一起使用。事实证明，它对于最初的EUV节点是可靠且高效的，但随着行业超越单一图案化EUV ，化学放大抗蚀剂(CAR)显然已达到极限。在其他条件相同的情况下，干式抗蚀剂将在前沿和最小特征尺寸方面获胜。