内存|DDR5风口下的“最大受益者”，就藏在科创板之中

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图片来源@视觉中国
文 | 芯锂话
20世纪60年代，计算机正处于发展早期，对于当时的科学技术来说，存储是一件极为奢侈的事情。IBM瞥见了其中的商机，并准备就此掀起一场计算机“存储革命”。
“磁芯存储器”是当时全球的主流存储技术，这项技术由美籍华人王安博士发明，后被IBM以50万美元的价格收入囊中。“磁芯存储器”虽然解决了计算的存储问题，但却有极大的改进空间，全球最大的存储设备也只能存储一兆字节的信息。
IBM购买“磁芯存储器”的专利的目的很简单，就是希望将这种技术成功商业化，但庞大的设备空间与狭小的存储空间形成强烈矛盾，只有攻破存储器尺寸和空间的问题，这项技术才能真正的被全面推广。
1966年秋，IBM负责“磁芯存储器”优化的项目组已经取得突破性进展，他们即将实现设备25平方厘米的尺寸突破，然而半导体存储技术的出现却让一切戛然而止。
当时，半导体技术正由青涩走向成熟，仙童半导体公司已经在6年前完成了世界第一代晶体管集成电路的批量生产。得益于半导体技术的发展，IBM的34岁电气工程师Robert H. Dennard发明出了一种“革命性”的半导体存储技术“动态随机存取存储器”（简称DRAM）。
早在DRAM被发明之前，IBM的硅芯片设计师们就已经实现晶体管储存数据的做法，只不过当时存储一个比特数据需要用到6个晶体管，并没有比“磁芯存储器”强多少。
Dennard突发奇想的用1个晶体管是否存储电荷来代表“0”或“1”，通过若干晶体管矩阵来存储数据。由于晶体管在关闭电源后会出现漏电现象，从而导致存储数据的损毁，因此这种存储技术是易失的，需要周期性的充电使用。
DRAM有效地减少了电路板的体积，实现了当初IBM的设想，但由于IBM当时正被反垄断调查，因此并未抓住DRAM的商机。
尽管如此，DRAM最终依然取代“磁芯存储器”成为主流的存储技术并被沿用至今，这项技术也就是如今我们常说的内存。
时间飞逝，五十五年过去了，技术的进步让设备尺寸不再是衡量指标，更快的带宽和更低的电压成为内存企业们的追求。
聚焦当下，中国半导体产业遭到了欧美国家的全面针对，而在DRAM行业即将迎来的DDR5全新风口中，我们却看到了一家中国科创板企业的身影。
10月28日，国际芯片巨头英特尔宣布，第12代PC版CPU首度支持DDR 5内存和PCIe 5.0，正式掀开了DDR5的风口。而就在一天之后，澜起科技宣布其DDR5第一子代内存接口及模组配套芯片已成功实现量产，并宣称将努力在DDR5世代保持市场领先地位。
或许很多投资者认为澜起科技是在吹牛，但实际上它确实已经坐到了全球细分龙头的位置上。在强手如云的芯片领域，澜起科技究竟是如何成功的呢？
细分市场，剩者为王澜起科技是世界上最大的内存接口芯片制造商，全球主流的内存产品都会用到澜起科技的芯片。
到底什么是内存接口芯片呢？通俗的讲它就是内存与处理器之间的桥梁。
一块内存卡中，起到存储作用的主要是内存颗粒，其成本占到了内存卡总成本的九成以上。目前，内存颗粒的产能主要被三星、镁光、海力士等几家企业瓜分，其中三星占比最大，是全球最具话语权的内存生产公司。
随着时代的发展，服务器性能越来越高，而主板的体积却几乎从未发生变化。为了能够在有限空间内让CPU更高效的读取内存颗粒中的数据，就需要添加内存接口芯片来控制电压、频率、时序、XMP等原件参数，从而达到提升内存数据访问的速度及稳定性的目的。