光刻机|Intel欲首发!新一代EUV光刻机空前先进:成本超3亿美金( 六 )


结论
其他 EUV 技术也在开发中 , 例如薄膜 。薄膜用于覆盖掩膜 , 防止颗粒落在面罩上 。
ASML 开发了新的 EUV 薄膜 。与此同时 , Imec 的碳纳米管薄膜在 ASML 的 EUV 扫描仪上显示出 97.7% 的透射率 。单壁和多壁薄膜都是有前途的 。
“两种类型的表现都很好 , 在 CD 均匀性、LWR 和耀斑方面 , 与无防护膜参考相比 , 成像差异很小 。根据测得的这些薄膜的 EUV 吸收范围从 95.3% 到 97.7% , 预计剂量会略有增加 , ”Imec 技术人员的主要成员 Emily Gallagher 说 。
毫无疑问 , 很多人正在为高数值孔径 EUV 开发其他技术 。不管所有部分是否到位 , 芯片制造商都表示 , 2023 年及以后的芯片生产需要高数值孔径 EUV 。
尽管如此 , 研发成本才刚刚开始堆积 。没有多少人买得起这些系统 。此外 , 还有待观察的是 , High NA 光刻机何时真正投入生产 。
光刻机|Intel欲首发!新一代EUV光刻机空前先进:成本超3亿美金
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