光刻机|Intel欲首发！新一代EUV光刻机空前先进：成本超3亿美金( 四 ) 极紫外光刻|光刻胶|Intel欲首发

【光刻机|Intel欲首发！新一代EUV光刻机空前先进：成本超3亿美金】新的掩膜设备
同时，掩膜坯一旦制成，就会被运往光掩膜供应商。在掩模供应商处，对blank进行图案化、蚀刻、修复和检查。最后，将薄膜安装在掩膜上。
首先，光掩模制造商使用称为电子束掩模写入器的系统根据给定的 IC 设计在掩模上写入图案。多年来，掩模制造商依赖基于可变形状光束 (VSB) 技术的单光束电子束工具。在操作中，将掩模插入系统中，电子以射击的形式撞击掩模。
基于 VSB 的掩模编写器适用于传统的光学掩模。但是 EUV 掩模具有更小更复杂的特征，并且 VSB 太慢而无法对其进行图案化。
对于 EUV 和一些复杂的光学掩模，掩模制造商使用多光束掩模写入器。IMS Nanofabrication 的多光束掩模写入工具利用 262,000 条微小光束，从而加快了过程。写入时间是恒定的，需要 12 个小时左右来对所有掩码进行图案化。
IMS 正在推出其第二代工具，其中包含一个新的研发版本。“对于高数值孔径 EUV 掩模制造，新的 MBMW-301 工具将配备更多光束， ”IMS 高级顾问 Hans Loeschner 说。
NuFlare 还在开发多光束掩模写入器。这些系统旨在对下一代 EUV 和曲线掩模进行图案化。该行业还在使用反向光刻技术(ILT)在高级光掩模上开发曲线形状。所谓的 ILT 掩膜对于 EUV ，尤其是高 NA 将变得很重要。
“ILT 掩模是一种增强工艺窗口的方法，以提高晶圆生产工艺对制造变化的弹性， ”D2S 的 Fujimura 说。
在图案化步骤之后，掩模结构被蚀刻和清洁，形成光掩模。在生产过程中，缺陷可能会出现在光掩模上。
这可能有问题。因为在光刻过程中，来自扫描仪的光穿过光掩模，将所需的图像投影到硅片上。如果掩模有缺陷，不规则可能会印在晶圆上。这会影响裸片的良率，甚至会毁掉一个芯片。
所以在掩模制作过程中，必须检查光掩模是否存在缺陷。对于传统的光学掩模，光掩模制造商使用光学掩模检测系统。Applied Materials、KLA、Lasertec 和 NuFlare 销售这些系统。
光学检测工具还可以检测 EUV 掩模。光学的问题是分辨率。他们可能会在 20 纳米到 16 纳米的半间距分辨率下失去动力。
作为回应， Lasertec 最近推出了一种使用 13.5 纳米光源的光化图案掩模检测 (APMI) 系统。较小的波长使系统能够定位 EUV 掩模的亚 20 纳米缺陷。
Lasertec 还在开发用于高数值孔径 EUV 掩模的 APMI 系统。“新的光学器件、探测器和系统设计已经完成， ”Lasertec 的 Sunako 说。该工具计划于 2023/2024 年推出。
除了光学和 APMI ，客户还有另一种 EUV 掩模检测选项。那就是KLA 和 NuFlare 正在开发多光束电子束掩模检测工具。
NuFlare 正在开发一种具有 100 个光束的多光束检测系统，计划于 2023 年推出。“灵敏度为 15 纳米。检查时间为每个掩膜检查周期 6 小时， ”NuFlare 的杉森忠行说。
总而言之，对于当前和未来的 EUV 掩模，光掩模制造商将使用所有检测类型——光化、电子束和光学。
和检查一样，掩膜修复也很关键。如果掩模有缺陷，光掩模制造商可以使用掩模修复系统修复它们。掩模修复工具有两种类型，电子束和纳米加工。两者是互补的。