光刻机|Intel欲首发！新一代EUV光刻机空前先进：成本超3亿美金( 三 ) 极紫外光刻|光刻胶|Intel欲首发

为了制造 EUV 掩模坯料，供应商将交替的硅和钼层沉积到基板上。使用光化和光学检查设备检查掩模坯料的缺陷。
Lasertec 销售用于 EUV 掩模坯料的光化坯料检测 (ABI) 系统。ABI 工具使用 13.5 纳米波长，具有 1 纳米（高度）x 40 纳米（宽度）的灵敏度，缺陷定位精度为 20 纳米。
面向高数值孔径 EUV ， Lasertec 正在开发一种具有 1nm x 30nm 灵敏度的新 ABI 系统。“我们的目标是 10nm 的缺陷位置， ”Lasertec USA 总裁 Masashi Sunako 在会议上的演讲中说。
最重要的是，该行业正在开发用于 3nm 及以上的新 EUV 掩模类型。在今天的 EUV 掩膜中，吸收体是一种类似 3D 的特征，突出在面罩顶部。在操作中， EUV 光以 6° 的角度照射掩模。反射可能会在硅片上引起阴影效应或光掩模引起的成像像差。此问题称为遮罩 3D 效果，会导致不必要的图案放置偏移。
为了减轻这些影响， EUV 掩模需要更薄的吸收剂。在现有的 EUV 掩模中，钽吸收剂的厚度为 60 纳米。它可以做得更薄，但限制在50nm ，这并不能解决掩膜效应。作为回应，业界正在开发几种新的 EUV 掩模类型，例如 2D、无吸收体、高 k、非反射和 PSM 。
EUV PSM 似乎具有最大的动力。该技术解决了遮罩 3D 效果，同时还通过更好的对比度提高了图像质量。
但是 EUV PSM 可能需要不同的材料。
在 SPIE Photomask/EUV 会议上的演讲中，汉阳大学的研究人员描述了一种相移 EUV 掩模，它由基板上的钌和硅交替层组成。钌覆盖层位于多层结构的顶部，然后是钽-硼蚀刻停止层，以及作为相移材料的钌合金。
在一篇论文中， Hoya 开发了各种衰减相移型吸收器并评估了其性能。“PSM 期望带来成像增益， ”来自 Hoya 的 Ikuya Fukasawa 在一次演讲中说。“但为了开发 EUV PSM 坯料，我们必须满足很多要求。吸收材料必须具有小的粗糙度和高的抗掩模清洁的耐久性。当然，吸收体必须在掩模工艺中蚀刻。”
与 EUV PSM 一样， High k 掩模也在研发中。High k EUV 掩膜类似于今天的 EUV 掩膜。该行业正在探索镍等其他材料，而不是钽吸收器。更薄的镍吸收剂可以减轻掩模效应，但这种材料很难使用。
与此同时，初创公司 Astrileux 最近描述了一种使用钌材料的新型非反射 EUV 掩模。Astrileux 首席执行官 Supriya Jaiswal 表示：“我们的掩膜在黑暗区域更暗，在清晰区域更亮，并且整体背景照明和泄漏更少。”
Astrileux 还描述了一种 2D 掩膜，其中吸收器结合在坯料中。这家初创公司还谈到了无流子掩膜。所有这些都在研发中。
就目前而言，芯片制造商将继续将现有的 EUV 掩模/空白结构用于现有的 0.33 NA EUV 工具。然后在某个时候芯片制造商可能会为 0.33 EUV 插入 EUV PSM 。当高数值孔径 EUV 准备就绪时，芯片制造商可能会使用 PSM 。High k 和其他掩膜类型也是可能的。
Hoya Group 的 Hoya LSI 总裁 Geoff Akiki 说：“随着您的发展，有几种方法，无论是相移、低 n 还是高 k 。” “这里真正的诀窍将是集成并使其在制造中发挥作用，将其作为产品推出。例如，你有像平坦度这样的事情，我们花了很多时间担心。你有缺陷，我们都在谈论。从某种意义上说，所有这些东西的选择就像试图调整一个制程窗口。这是让您最终获得可用的东西的原因，而不是在理想条件下。”