小米科技|事关BCD工艺！中芯国际55nm研发成功，台积电、三星可以比么？徕卡|小米12s ultra

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【小米科技|事关BCD工艺！中芯国际55nm研发成功，台积电、三星可以比么？】提到芯片工艺，台积电、三星首当其冲，毕他们3nm制程都开始量产了，而中芯国际还在布局28nm成熟制程。但是，集成电路涵盖的范围很广泛，并不代表中芯国际没有赢面，在BCD工艺制造方面，就不输台积电、三星。
近日，中芯国际传出好消息，已成功完成55nm BCD工艺的研发，这有什么意义？台积电和三星有得比么？

中芯国际完成55nm BCD工艺的研发近日，中芯国际发布了2022年上半年财报，披露了上半年营收和净利润，都呈现大幅上涨趋势。这是个好消息，说明中芯国际市场稳固上升，不仅如此，还有更好的消息。
在财报中，中芯国际表明，在核心技术方面，已完成55纳米BCD平台第一阶段的研发，并进入小批量试产。这是一个振奋人心的好消息，在BCD工艺方面，中芯国际不仅突破了技术封锁，更是走在了世界的前沿。

该工艺研发成功有什么意义？也许有人会说，才55nm就说走在世界前沿，这算哪门子突破呢？当然，提出这样的疑问也难怪别人，毕竟集成电路领域广泛，大家对BCD工艺不熟悉也不为其。
一、先简单了解一下什么是BCD
BCD全写为Bipolar-CMOS-DMOS ，该技术是一种单片集成工艺技术，是由STM（意法半导体）于1985年研制成功。该工艺能把Bipolar、CMOS和DMOS器件制作在同一芯片上，同时具备Bipolar高跨导、强负载驱动能力，以及CMOS集成度高、低功耗的特点，还可以让DMOS在开关模式下工作。
因此，该工艺可改善芯片性能与功耗，即可大幅降低功率耗损，又能提高系统性能。并且，与台积电和三星目前的3nm工艺（数字集成工艺）完全不同，发展方向不在同一平行线上，它主要的发展方向在于高压、高功率和高密度三个方面。

二、BCD工艺主要应用
PMIC（电源管理芯片又称IC芯片）主要采用的就是BCD工艺，它主要广泛应用于汽车、消费电子、工业和网络设备等领域，包括可应用于智能手机、平板电脑、固态驱动器、网络和无线物联网设备、TFT 显示器等等。
另外，BCD可提供提供 SOI（绝缘体上硅）衬底选项，使其输出电压高达 800V ，能够适合电子医疗、汽车安全及音频相关等高价值应用。
据Yole Développement（知名半导体分析机构）发布的“全球功率半导体未来走势的报告”指出，全球功率半导体市场仍然以BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）技术为基础，并且，功率半导体非常依赖成本驱动，集成了存储模块的功率集成电路制程在90nm左右。
由此可见， BCD工艺至今为止，仍然是芯片制造的另一主流工艺。

55nm BCD工艺研发的意义
目，全球主流在售的工艺在90-180nm ，推进的最先进的技术在60nm左右。所以，中芯国际能够成功完成55纳米BCD平台第一阶段的研发，并进入小批量试产，其意义十分重大。
不仅说明中国的BCD工艺取得了标志性的突破，彻底打破了该领域的技术封锁，更表明了中芯国际的BCD工艺走向了世界前沿。另外， BCD工艺应用广泛，中芯国际拥有更先进的技术，可以获得更多的相关芯片订单，有利于提高国内芯片自给率。