微网|第三代半导体风口下，爱集微论坛大咖共话本土产业突破( 二 ) oled|led

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郭浩中通过现场连线发表演讲/集微网
近两年，Mini/Micro-LED来成为时下热门话题，主要也得益于三星的“the Wall”系列电视在CES2018上得到了很好展示。但除了电视以外，郭浩中指出，Mini LED在车用和LCD背光模组中受到广泛采用，而Micro LED适合更精密的显示需求，比如Apple Watch、AR/VR应用。他认为，MiniLED技术在AR/VR上拥有更大的优势。
技术难点攻克仍需加速价格把握渗透率命脉
半导体产业的每一项技术和材料的突破，都将面临重重阻碍。第三代半导体材料犹是。
例如微纳级别的碳化硅芯片制造，秋琪在题为《碳化硅芯片制造为何这么难？》的演讲中比喻这一过程为“在头发丝里面盖房子”，且“巨大数量的房子，都要盖得几乎一模一样”。

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秋琪发表演讲/集微网
秋琪指出，在电力电子领域，最大的颠覆性变革就是碳化硅Mos取代硅IGBT，而碳化硅和硅器件在工艺上的典型区别主要在于硬、脆、透明，且作为化合物，缺陷多、需要硅和碳双元素控制，使得其制造难度再次升级。
具体到各环节上，芜湖启迪半导体有限公司研发副总纽应喜在题为《碳化硅材料外延生长技术进展》的演讲中分析认为，在高压领域的碳化硅外延技术上，目前存在的问题主要是：均匀性较差，尤其是掺杂浓度；缺陷比较多，尤其是三角形；少子寿命比较低，约2us。

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纽应喜发表演讲/集微网
对此，纽应喜提出建议，在晶体段：优化技术，扩大6英寸产能、降低成本，突破8英寸技术攻关；外延端：8英寸外延生长技术及设备的研制，针对高压领域，突破厚膜外延产业化技术；芯片端：加快高端车规级产品的量产技术。
而在氮化镓相关的Mini/MicroLED商业化方面，郭浩中表示，当前仍面临着LED显示效率低、巨量转移问题，最大挑战依然是饱和度问题，除此之外，Micro LED要实现商业化还需解决成本的问题。
郭浩中援引镎创CEO李允立博士的话称， “2025年MicroLED的价格预计将降至现价的二十分之一，即成本约降9成”。2020-2025年仍会是MicroLED的研发试量产期，还不是量产的时间，这应该与AR/VR应用爆发的时间点接近。届时QD和QNED技术将得到大量采用。
陈跃楠也指出，氮化硅以及碳化硅器件由于技术还不成熟，成本较高，分别只占据了8.7%和4.5%的市场份额。尤其是碳化硅电力电子器件，由于产品供不应求，目前是同规格硅器件的5-10倍左右，按照行业标准，碳化硅、氮化镓电力电子器件价格只有下降到硅产品价格的2-3倍，才能被市场广泛接受，下游市场渗透率才能大幅提升。
海内外技术积累差距明显本土厂商奋起直追
后摩尔时代的大门正在缓缓敞开，广阔市场近在眼前，但只有有所储备的人才有机会乘风破浪。本土厂商准备好了吗？
对此，爱集微副总兼嘉勤知识产权总经理畅文芬发表了题为《本土厂商第三代半导体的专利布局现状和国际大厂的差距》的演讲，从产业链衬底、外延、器件、模组四大环节专利布局进度来看，本土企业较众多国际大厂仍有较大差距。

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畅文芬发表演讲/集微网
科锐、罗姆、英飞凌实现从碳化硅衬底、外延、设计、器件及模块制造的全产业链布局。其中英飞凌于2001年就推出了碳化硅二极管产品。而我国研究开始较晚，自2013年科技部在“863”计划，第三代半导体材料列为重要内容。