美国|“芯片之母”遭殃！美国对中国封杀EDA：没这么简单芯片|半导体|EDA|“芯片之母”

当地时间8月12日，美国商务部工业和安全局（BIS）在《联邦公报》中披露了一项新增的出口限制临时最终规则，涉及先进半导体、涡轮发动机等领域。
【美国|“芯片之母”遭殃！美国对中国封杀EDA：没这么简单】该禁令对具有GAAFET（环绕栅极场效应晶体管）结构的集成电路所必需的EDA/ECAD软件、以金刚石和氧化镓为代表的超宽禁带半导体材料、包括压力增益燃烧（PGC）在内的四项技术实施了新的出口管制。

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GAAFET相关EDA软件
EDA/ECAD指的是用于设计、分析、优化和验证集成电路或印刷电路板性能的电子计算机辅助软件。早在8月3日，芯智讯就报道了“美国将对华断供GAAFET技术相关的EDA工具”的消息。此次禁令公布也进一步印证了该消息。

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作为FinFET的继承者， GAAFET被认为是批量生产3nm及以下半导体制程工艺的关键技术。
今年6月底，三星已宣布率先量产基于GAAFET技术的3nm工艺。而台积电目前正在量产的3nm仍然是基于FinFET技术，预计将会在2nm导入GAAFET技术。
也就是说，美国此次的禁令将限制可以被用于3nm及以下先进半导体制程工艺芯片设计的EDA软件的对华出口。此举将限制中国芯片设计厂商向3nm及以下先进制程的突破。
BIS目前还正在征求公众意见，以确定ECAD的哪些特定功能在设计砷化镓场效应晶体管电路时特别有用，以确保美国政府能够有效执行该法规。
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氧化镓和金刚石
至于宽带隙半导体材料氧化镓（Ga2O3）和金刚石（包括碳化硅SiC）：氮化镓和碳化硅是生产复杂微波、毫米波器件或高功率半导体器件的主要材料，有可能制造出更复杂的器件，能够承受更高的电压或温度。
目前，以碳化硅和氮化镓为代表的化合物半导体受到的关注度非常高高，它们在未来的大功率、高温、高压应用场合将发挥传统的硅器件无法实现的作用。
特别是在未来三大新兴应用领域(汽车、5G和物联网)之一的汽车方面，会有非常广阔的发展前景。但是，氧化镓凭借其比碳化硅和氮化镓拥有更宽的禁带，使得该种化合物半导体在更高功率的应用方面具有独特优势。
氧化镓是一种宽禁带半导体，禁带宽度Eg=4.9eV ，远超碳化硅(约3.4eV)、氮化镓(约3.3eV)和硅(1.1eV) ，其导电性能和发光特性良好，因此，其在光电子器件方面及大功率场景有广阔的应用前景。
虽然氧化镓迁移率和导热率低，特别是导热性能是其主要短板，不过相对来说，这些缺点对功率器件的特性不会有太大的影响，这是因为功率器件的性能主要取决于击穿电场强度。

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△Ga2O3的结晶形态确认有α、β、γ、δ、ε五种，其中， β结构最稳定，当时，与Ga2O3的结晶生长及物性相关的研究报告大部分都使用β结构。β-Ga2O3的击穿电场强度约为8MV/cm ，是Si的20多倍，相当于SiC及GaN的2倍以上。