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提升芯片工艺的方式有很多种 , 要么靠芯片制造商提高纳米工艺制程 , 要么让半导体设备制造商加强设备研发 。 在基于传统的路径上继续努力 , 打破技术极限 。
可是半导体行业到了4nm及以下的层次 , 再往前难度会越大 , 成本也会持续攀升 。
然而一则消息显示 , 日本光刻机巨头打算制造3D封装光刻机 , 用堆叠的方式提高芯片性能 。 这是怎样的光刻机项目呢?芯片堆叠被屡屡验证 , ASML优势会被打破吗?
日本光刻机巨头开始行动 , 瞄准3D封装光刻机自从芯片制造逐渐面临摩尔定律的极限之后 , 想要在传统的路径取得跨时代突破变得十分困难 。
所以一些行业巨头纷纷开始探索未来出路 , 而综合来看 , 从芯片封装入手是最有效也是最简单的方式 。 芯片封装可以通过不同的封装技术 , 来调整芯片与设备之间的版线连接 , 带来更好的性能发挥 。
随着封装工艺的不断发展 , 芯片堆叠成为了一大方向 。 苹果公司研发的M1 Ultra芯片就是采用芯片堆叠的方式进行生产 , 运用2.5D技术在同一平面上展开 , 最终实现两颗芯片当成一颗用 , 效果翻倍 。
不只是平面的2.5D , 3D封装技术也开始提升发展日程 。 为了更好的实现芯片堆叠 , 助力行业突破到更高的3D封装技术 , 日本光刻机巨头佳能公司开始行动 , 瞄准3D封装光刻机全力以赴 。
根据《日经中文网》消息显示 , 佳能正在开发半导体3D技术的光刻机 , 通过堆叠多个芯片提高半导体性能 。 这款光刻机产品项目预计在2023年上半年上市 。
日本佳能公司是著名的光刻机巨头 , 和尼康一样都是具备老牌资历的光刻机厂商 。 ASML没有崛起之前 , 都得叫他们一声老大哥 。
如果不是ASML获得EUV联盟的扶持 , 以及林本坚的技术理念 , ASML很难走到今天 , 估计还是佳能 , 尼康并称双雄 。 即便这两大光刻机巨头落后于ASML , 却也依然具备强劲的光刻机研发实力 。
此次佳能从封装工艺出发 , 研发的光刻机项目主要是用于3D芯片堆叠 , 一旦研制生产成功 , 可以使多层芯片之间以电气的方式进行连接 。 并且区别于平面展开 , 实现更有效节约面积的3D立体堆叠 。
芯片封装已经成为了摩尔定律极限之下的一个探究方向 , 而且从各种实际验证来看 , 这个方向是可行的 。 并且在普通封装工艺的基础上 , 进一步发展3D封装 , 从而延伸出芯片堆叠这个理念 。
芯片堆叠被屡屡验证 , ASML优势会被打破吗?芯片堆叠简单概括可以理解为搭积木 , 当两块积木搭建在一起的时候 , 整体的质量 , 密度等等都会增加 。 而芯片也是一样的原理 , 只不过增加的是性能 。
除了佳能传出要研发3D封装光刻机用于芯片堆叠之外 , 此前苹果公司的M1 Ultra也向外界展示芯片堆叠带来的实际效果 。
不仅如此 , 华为在4月5日还公布了“一种芯片堆叠封装及终端设备”专利 , 这是华为少数公开的芯片堆叠专利技术 , 也为芯片堆叠这一理念增添了更多的事实验证 。
既然芯片堆叠被屡屡验证 , ASML的优势会被打破吗?要知道ASML生产的EUV光刻机是偏向于传统的工艺 , 以单纯的研制新一代EUV光刻机来实现更高端芯片生产 。
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