光刻机|外媒：中企正在“打破”光刻机限制纳米|芯片|阿斯麦尔|互联网医

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光刻机是芯片制造流水线上的必备设备，也是芯片制造整个环节中成本最大的，光刻机的性能，决定了一款芯片所具备的工艺水平，最终决定了一颗芯片的性能表现。

所以光刻机在芯片制造上居于核心地位，然而我们知道，美国通过科技霸权和长臂管辖，禁止ASML向我们提供EUV光刻机，导致我们无法研发5纳米和3纳米的制造工艺。
但是我们发现，在DUV光刻机上， ASML却可以出货，并没有受到限制，这主要是因为，一方面DUV光刻机不能生产像5纳米等先进工艺的芯片，另一方面DUV光刻机也并非只有ASML一家可以生产。

尼康也可以生产DUV光刻机，而且尼康的产品并没有采用美国的技术和零部件，事实上，日本的光刻机，一直以来都是自主研发，所以可以不受到美国的长臂管辖。
但是近日我们注意到，根据媒体报道表示，美国开始与日本在2纳米等先进工艺上进行合作，包括芯片的制造和芯片制造设备两个方面。

分析师表示，这次合作，本质上还是光刻机，因为尼康的DUV光刻机已经可以支持5纳米工艺，这是DUV光刻机的突破。
【光刻机|外媒：中企正在“打破”光刻机限制】
而所谓的合作2纳米，其实是日本与IBM合作，将IBM实验室的2纳米技术走向量产，因此大概率，是日本出钱帮助IBM达成目标，最终共享成果。
所以焦点还是光刻机上，但是外媒指出，这其实恰好说明，中企正在“打破”光刻机的限制。
上文中提到，尼康的DUV光刻机也实现了5纳米的支持，这就意味着，生产5纳米芯片，也可以不需要EUV技术。

显然美方不希望我们了解这项技术，因此提前选择与日合作的方式，对我们进行技术封锁。
但殊不知，中企已经在DUV光刻机的主要环节上，实现了突破。
DUV光刻机最为重要的三个环节，分别是ARF光源、镜头和浸没系统，目前我们的镜头明年即可交货， ARF光源和浸没系统已经完成，届时我们的28纳米光刻机就将到来。

不要小看28纳米光刻机，要知道，这意味着我们做到了DUV光刻机最大38纳米的分辨率。
无论是ASML还是尼康，他们最先进的DUV光刻机，分辨率都是38纳米。
根据ASML的产品来看，其突破28纳米后，在DUV光刻机上实现7纳米，其实就用了4年时间。

这就是因为主要的三大难题已经解决，剩下的光刻机工艺升级将会变得简单。
就像ASML总裁之前所说的，物理定律在中国和在荷兰是一样的，所以我们在实现28纳米突破后，后续进入7纳米、5纳米都将迅速解决。
其实这可以用ASML来举例，其研发EUV光刻机用了19年，但是第二代EUV光刻机的出现只用了三年。