光刻机|外媒：中企正在“打破”光刻机限制( 二 ) 纳米|芯片|阿斯麦尔|互联网医

上面我们提到的28纳米光刻机也是如此，因为28纳米光刻机，其实是ARFi光刻机， 28纳米之上的光刻机是ARF光刻机， 90纳米之上为KRF光刻机。
因此我们是从KRF直接跨越ARF进入到了ARFi ， 28纳米之后继续向前发展，就是继续对ARFi光刻机进行升级，这个升级的时间要比之前的研发时间短得多。
更重要的是，我们在计算光刻方面不仅已经实现国产化，而是达到了国际领先。

可能很多朋友对计算光刻不是很了解，简单来说，就是通过软件来进行光刻建模，模拟芯片制造的过程，来帮助提升芯片制造的质量和精度。
也就是说，计算光刻也帮助我们加速光刻机的向前演进升级，而我国计算光刻的提供商就是东方晶源。
相信大家还记得，之前ASML在没有任何证据的情况下，指责所谓侵权的就是东方晶源，由此可见，东方晶源的实力已经对ASML产生了威胁。

因此我们看到，我们中企在光刻机方面的技术，马上将进入质的阶段，当然， “打破”光刻机的限制，还不止如此。
光刻机的限制，其实就是芯片的限制，即在先进工艺的芯片制造上制造障碍，但是显然，现在情况变了。
最先进的光刻机依然是市场的需求，但已经不是唯一的需求。

因为最先进的光刻机，解决的是芯片中集成更多晶体管的目的，但是通过芯片堆叠技术，也可以解决这个问题。
所有我们看到，在很多设备上，已经可以不依赖最先进的光刻机，还是要说那个最明显的例子，就是苹果M1 Ultra 。
它没有升级制造工艺，但是性能翻倍，要知道如果选择提升工艺来制造M1 Ultra ，那么性能的提升最多也就20% 。

因为根据台积电方面的表述， 3纳米比5纳米工艺在性能上提升了11% ，所以加上苹果在架构上的优化，整体性能提升基本就是20% ，这也符合苹果历代芯片升级后的性能提升幅度。
但是通过芯片堆叠，没有升级芯片工艺，性能却翻倍提升了。
很显然，先进光刻机对我们的制约能力也就会越来越弱。

因此在光刻机方面，就是这样的一幅局面，以前是EUV光刻机非用不可，现在是DUV光刻机也能替代了，而且将可以替代生产大部分芯片，关键是，我们在DUV光刻机上只需几年时间，即可直接触及到5纳米。
还有一点很多朋友应该是不了解的，那就是虽然EUV光刻机的真正大规模使用，是在5纳米工艺上，但是早在10纳米工艺上， ASML就已经提供了EUV光刻机，但是代工厂没有采用。

原因就是效益不好，也就是不能让代工厂多赚钱，所以代工厂继续采用DUV光刻机，直到第二代7纳米工艺，才开始初次采用EUV光刻机，而5纳米则是大规模采用。
而现在同样如此， 3纳米晶圆的价格直接比5纳米翻倍，是7纳米的几乎4倍，现在是芯片设计商受不了了，例如苹果。
因此未来最先进的工艺，如果可以用芯片堆叠，就不会采用，这将降低对最先进光刻机的依赖。

所以总得来看，光刻机对我们的限制将会越来越少，越来越小，甚至当我们的DUV光刻机走向5纳米甚至3纳米，现在的EUV光刻机市场还会对我们开放。

我们中企在光刻机技术、芯片堆叠技术、小芯片技术等方面全面前进，在未来两到三年，将会让我们看到更为明显的改变，破局已经处于进行时，我们拭目以待。