本文转自：中国经济新闻网加快第三代半导体技术应用|SiC功率半导体产业高峰论坛举办( 二 )

中国电子科技集团公司第四十八研究所研究员级高工/高级专家周洪彪报告中指出,随着第三代半导体产业快速发展期到来和行业自主可控的急迫需求,国产装备成长空间巨大;中国电科48所重点围绕SiC全链条开展核心装备开发、验证与推广应用,并持续迭代改进,以SiC单晶生长、高温高能离子注入、高温氧化/激活为代表的系列设备已实现小批量应用;加强工艺融合和行业协作,进一步推动第三代半导体国产化装备的跨越式发展。
株洲中车时代电气股份有限公司常务副主任、教授级高级工程师刘国友表示,SiCMOSFET成为高压功率器件的解决方案,越来越多的企业参与其中。高压SiCMOSFET材料、涉及、工艺技术取得很大进展并逐渐成熟,3300V及以上电压等级的芯片和模块逐步商业化。高压SiCMOSFET应用于轨道交通领域,推动绿色、智能技术发展;在智能电网、飞机、船舶电驱等方面也有很好的应用前景。高压SiC材料、工艺和封装等全产业链协同,聚焦质量、成本与可靠性攻关,推动高压SiC技术创新与规模应用。
【本文转自：中国经济新闻网加快第三代半导体技术应用|SiC功率半导体产业高峰论坛举办】北京天科合达半导体股份有限公司董事、常务副总经理/博士彭同华在报告中指出,从产业链来看,碳化硅衬底位于产业链上游,支撑整个产业发展,从整体性价比和发展趋势考量,未来几年6英寸仍将为主流;8英寸在2025年需求量开始上升增长。
北京晶格领域半导体有限公司张泽盛总经理对液相法生长大尺寸硅单晶碳进行了详细报告,提到液相法是制备高质量硅酸盐晶体的一种有前途的方法,低温溶液生长法由于生长过程具有更好的可控性和稳定性,提高了产率;预估液相法可以有效地降低成本的原子衬底晶片超过30% 。
第三代半导体产业技术创新战略联盟副秘书长赵璐冰指出,在建立协同创新的产业体系和生态愿景方面,要建立明确的目标、权责清晰、体系化任务型的产学研创新联合体,加快迭代研发,打通产业链条,推动产业整体达到国际先进水平。建设开放、高水平的专业化平台,加强基础材料、设计、工艺、装备、封测、标准等国家体系化能力建设。探索构建科技金融网链,下游反哺上游方式带动社会资本,探索平台+孵化器+基金+基地以及大中小企业融通发展的合作新模式。加强精准的国际与区域合作,推进政府间合作框架下的项目合作与平台建设,开展常态化海外项目输送与技术转移。
北京国联万众半导体科技有限公司市场部部长王永维在报告中讲到碳化硅电力电子器件需求及技术挑战的三项共同目标,要更好的保护栅极,提高栅氧可靠性;提高器件电流密度,缩减芯片面积,降低成本;提高SiCMOSFET性能。同时指出目前SiC器件已经具备规模在新能源汽车中使用的条件。
北京智慧能源研究院功率半导体研究所副总工程师杨霏围绕“高压大功率碳化硅器件及其应用基础理论研究”和“高压大功率碳化硅MODFET及其在电力电子变压器中的示范应用”两大项目主题作了详细汇报,传统电网正向以电力电子技术广泛应用为代表的智能电网方向发展,亟需提升器件的耐压,通流能力和开关速度,并降低损耗.电力电子变压器是未来智能电网核心设备之一,目前基于硅器件的电力电子变压器体积大,损耗高,重量大,无法推广应用。碳化硅器件具有电压等级高,通流能力强,频率高,损耗低等优势,可以大幅减小设备体积与重量,降低损耗.碳化硅器件将是电力电子变压器功率器件,高压大功率碳化硅材料及器件的实用化将决定电力电子变压器的发展未来。
国鼎资本投资总监吴一苇在报告中提到如何在风口浪尖的碳化硅产业链找准市场精准投资,首先要寻找碳化硅产业链中的成本中心,即具有定价权的衬底,设计端及MOS也是未来关注的重点,从产业链细化分工上来看,外延片和模组是核心关注点。 SiC产业为技术驱动投资,具有长时间的投资价值。