芯片|逆向超车美国复活90nm工艺:性能50倍于7nm芯片

芯片|逆向超车美国复活90nm工艺:性能50倍于7nm芯片

在先进芯片工艺上 , 美国厂商也落后于台积电、三星了 , 这两家量产或者即将量产的7nm、5nm及3nm遥遥领先 , 然而美国还有更多的计划 , 并不一定要在先进工艺上超越它们 , 甚至准备逆行 , 复活90nm工艺 , 制造出来的芯片性能是7nm芯片的50倍 。
美国晶圆厂SkyWater日前宣布获得美国国防部下属的DARPA的进一步资助 , 后者将给予2700万美元以推动开发90nm战略抗辐射 (RH90) FDSOI 技术平台 , 总的投资计划高达1.7亿美元 。
相比台积电、三星、Intel等半导体公司 , SkyWater不仅规模小 , 而且资历也浅 , 2017年成立 , 晶圆厂主要来源于赛普拉斯半导体公司的芯片制造部门 , 工艺并不先进 , 主要生产130nm及90nm , 部分先进芯片才到65nm级别 。
然而他们却得到了美国DARPA的青睐 , 成立没多久就开始参与后者的ERI电子复兴计划 , 该计划在5年内投资15亿美元 , 推动美国半导体行业发展 。
ERI计划中 , SkyWater并没有追求技术更强但更昂贵的先进工艺 , 而是用90nm工艺制造3D SoC芯片 , 通过集成电阻RAM、碳纳米管等材料实现更强的性能 , 性能可达7nm芯片的50倍 。
当然 , 这些技术现在还没有实现完全突破 , 毕竟这样的做法是之前没有的 , 一旦成功了 , 可能是改变半导体行业规则的新技术 。



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