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为了解决这个问题 , 华为也提出很多的新方案 , 比如芯片堆叠方案 , 先进的封装技术等 , 均是利用不那么先进的工艺 , 制程出性能更强的芯片来 , 以解决当前的问题 。
不过芯片堆叠 , 3D封装等 , 并不是这么容易的 , 也需要解决很多难题才行的 。
【芯片|华为该高兴了,IBM、东京电子宣布3D芯片有突破,华为正需要】
近日 , 传出好消息了 , 那就是IBM、东京电子(Tokyo Electron)宣布 , 他们在3D芯片堆叠方面取得了工艺上的新突破 。
按照双方的说法 , 他们已经找到了一种方法 , 可以使硅载体晶圆用于3D芯片制造 , 而不会存在当前的缺陷 。 他们的新方法使用红外激光将硅载体晶圆与其他硅晶圆分离 。
可能这么一说 , 大家还是云里雾里 , 不知道具体有什么用 。
简单的来讲 , 这种方式减少了兼容性问题 , 减少了缺陷和工艺问题 , 可以将更多的芯片堆叠在一起 , 这样使制造出来的3D芯片 , 性能更强 , 但却又更薄 。
所谓3D(堆叠)的芯片 , 本身就是利用体积换性能 , 就是利用多块芯片堆在一起 , 以获得更高的性能 , 做得薄 , 就可以搞更多的层 , 这样就算是不那么先进的工艺 , 多层堆在一起 , 也可以实现非常强的性能了 。
而华为因为禁令的原因 , 无法找代工厂 , 生产出先进工艺的芯片来 , 只能是成熟工艺 , 如果利用这种3D芯片技术 , 就可以将多层的相对落后的芯片堆叠在一起 , 这样就算工艺不先进 , 也能够获得先进的芯片 , 这正是华为需要的啊 。
所以说 , 虽然这是IBM、东京电子的技术 , 但这些技术是对外公开的 , 其它厂商也可以使用 , 所以华为也一样可以使用 , 华为不应该高兴一下么?
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