台积电|台积电：3纳米技术即将称霸武林！纳米技术|芯片|三星|it芯片

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就在上个月的十七号，晶圆代工巨头企业台积电公布了Nanosheet碳纳米片技术的开封之作，不仅如此，还呈现了FinFET鳍式晶体管的离别作品之N3 3纳米工艺，甚至还开发了多达五个不一样的版本，可以说是历史上工艺里面最为丰富的工艺了。
以下简单介绍一下几大工艺。
N3
时间最早也是作为标准的3纳米技术，据说，台积电方面会在下半年实现量产，计划在明年可以有新产品上市。此类芯片具有非常强劲的投资能力，可以吸引一些追求新工艺的客户，比如说苹果、AMD之类的客户，但是缺点也有，就是应用的范围太窄了，也就是说面临的市场不算很广阔，只能适用于一些特殊定制的产品。
和N5相比，根据摩尔定律，其功耗下降了25%到30% ，在性能方面上升了10%到15% ，其晶体密度上升了近乎七成。

而对于Ehanced增强版，在近段时间就会投入风险式的试产阶段，争取到明年能实现更大规模的量产，等到产品正式上市估计要到明年或者是后年的年初。
这种工艺在N3的基础之上有几大优势，不仅仅提升了性能，还在一定程度上面降低了功耗，另外对于市场最重要的是加大了应用范围，与N5比较，一样的性能和密度功耗下降了三成以上，一样的功耗和密度下性能增高了接近两成，但是其中的晶体密度却不符合摩尔定位，其密度与N3相比，是低于它的。
有关N3E的情况，台积电说明可以到达和N4X频率还要更加高的，计划在2023年投入生产。

N3P
是Performance性能增强版，其中各种的细节不详。
N3S
是密度的增强版，但是同样细节不明。
N3X
超强的佼佼者，也就是具有超级高的性能，对于这种工艺，是无所谓其功耗和成本，这款芯片也是N4X的优良承接者。这种工艺可以变动的地方有很多，可以依据客户的不同需求定做栅极、鳍片数量，性能、功耗等等，官方将其称为“FinFlex” 。

比如说2栅极1鳍片，能将性能增升到11％、其功耗下降到30％、其面积变小36％。
如果是2栅极2鳍片，能够将性能增升到23％、其功耗下降22％、其面积变小28％。
最近台积电在年度的技术论坛中也宣布了3纳米的N3制程将会在今年的下半年投入量产，关于3纳米一系列的技术都将会进一步地提升，台积电有希望在3纳米着个时代节点上面独领风骚，称霸武林至少两年以上，对于人工智能和高效能运算的订单也胜券在握，很有希望在最近已经低迷和疲软的股价安安心，冲击一下如此低迷的股价。
对此台积电在此次论坛上宣告全世界3纳米家族技术之作，也就是前面提到的N3、N3E、N3P、N3S ，会在2025年之前陆续推广开来，包含的范围也十分广阔，包括智能手机、热门的物联网行业，新兴的车用电子以及高效能运算这四大平台的运用。
台积电方面对此感到很有信心，主要是希望这个行为能够刺激到一下低迷了一段时间的股价。

对于台积电的行动，总是排在第二的三星也不甘示弱，三星甚至表示到自己的3纳米技术还会比台积电早一点出现，其实对于三星的大言不惭也可以看出它与台积电都一样很有自信，只不过三星总是离台积电一步之遥，基本上每次都只差一点点，每次都差点把第一宝座抢来。可是第一的台积电可不是盖的，那么容易就被超越了，那台积电那么多年走过来的路都白走了，吃的饭也白吃了。