三星|三星量产3nm！真领先台积电还是“赶鸭子上架”？( 二 ) 台积电|3nm|三星量产3nm！真领先

是“真量产” ，还是“真宣传”？
虽然三星抢先台积电量产了3nm GAA制程工艺，但是其为了兑现今年上半年量产承诺，在上半年的最后一天6月30日才宣布量产，也让一些分析人士认为， 3nm GAA制程工艺量产是“赶鸭子上架” ，宣传意义大于实际意义。
比如台湾工研院产科国际所研究总监杨瑞临就表示， GAA相关的蚀刻及量测问题尚待克服，材料、化学品等也需要提升，全球GAA生态系统还未完全到位，三星3nm GAA技术此时量产是“赶鸭子上架” 。
ASML的新一代High-NA EUV光刻机预计最快也要2023年底才正式向客户交付。台积电和英特尔都选择采用High-NA EUV光刻机来生产基于GGA架构晶体管的2nm工艺。
杨瑞临称，虽然三星采用市场现有方案，可以做到3nm GAA技术量产，但关键是成本会增加、交期会拉长、良率提升速度慢、品质不见得好。在成本模型难以建立的情况下，三星难以对客户报价，预料三星的3nm GAA技术应仅自用，不会有真正的外部的客户。
台经院产经资料库研究员暨总监刘佩真也表示，三星仍未实际接获3nm订单，今天宣布量产3nm制程，宣传意义应大于实质意义。
而在此之前，在相同制程工艺节点上，三星的制程工艺在稳定性、良率、发热等方面的表现确实一直都要比台积电差。此前高通就因为三星4nm代工的骁龙8的散热问题，转向了采用台积电4nm代工骁龙8＋。
不过，台湾相关机构的立场和观点往往都会偏向本土的台积电，看衰三星3nm GAA也属正常。
同样，韩国半导体分析师的观点也往往是看好本土的三星。此前，韩国半导体分析师Greg Roh就表示三星3nm制程良率提升速度远高于市场预期，新增客户速度相当快。
GAA架构晶体管到底有何优势？
传统的平面晶体管（Planar FET）通过降低电压来节省功耗，然而，平面晶体管的短沟道效应限制了电压的继续降低，而FinFET（鳍式场效应晶体管）的出现使得电压得以再次降低，但随着工艺的继续推进， FinFET已经不足以满足需求。于是， GAA（Gate-all-around ，环绕栅极）技术应运而生。

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如下图，典型的GAA形式——GAAFET是（Gate-all-around FETs）采用的是纳米线沟道设计，沟道整个外轮廓都被栅极完全包裹，代表栅极对沟道的控制性更好。
相比之下，传统的FinFET 沟道仅3 面被栅极包围。GAAFET 架构的晶体管提供比FinFET 更好的静电特性，可满足某些栅极宽度的需求。这主要表现在同等尺寸结构下， GAA 的沟道控制能力强化，尺寸可以进一步微缩。

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不过，三星认为采用纳米线沟道设计不仅复杂，且付出的成本可能也大于收益。因此，三星设计了一种全新的GAA形式——MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET ，多桥-通道场效应管），采用多层堆叠的纳米片来替代GAAFET中的纳米线。

三星|三星量产3nm！真领先台积电 还是“赶鸭子上架”？( 二 )

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