刚刚，首个3nm量产官宣芯东西（公众号：aichip001）作

文章图片
芯东西（公众号：aichip001）
作者|高歌
编辑|Panken
芯东西6月30日报道，今天上午，三星电子官宣，已开始量产基于GAA晶体管（Gate-All-AroundFET ，全环绕栅极）结构的3nm芯片。
与5nm制程相比， 3nm制程降低了45%的功耗，提升了23%的性能，并减小了16%的面积。三星电子正在位于首尔南部华城市的晶圆厂生产3nm 。这是全球首次采用GAA晶体管结构的芯片，标志着芯片制造进入了新的时代。三星电子称，其GAA晶体管芯片将应用于高性能、低功耗计算领域，并计划扩展到移动处理器。
据外媒报道，一家中国矿机芯片公司将成为三星电子3nm制程的首位客户，高通也预定了三星电子的3nm制程。

文章图片
三星代工业务和半导体研发中心的领导者举起三根手指作为3nm的象征，庆祝该公司首次生产采用GAA架构的3nm工艺（图片来源：三星电子）
一、晶体管结构进入GAA时代，第二代3nm制程参数宣布三星电子称，其3nm制程正在使用MBCFET（Multi-Bridge-Channel ，多桥通道晶体管）技术，这是基于GAA晶体管结构的一种技术。该技术通过降低供应电源水平，提升了芯片电流和功率，首次突破了FinFET晶体管（FinField-EffectTransistor ，鳍式场效应晶体管）的性能限制。
相比于GAA技术的纳米线和纳米片通道，三星电子采用的MBCFET技术具有更宽的通道，具备更高的性能和更好的能效表现。

文章图片
三星电子晶体管结构路线图（图片来源：三星电子）
三星电子的3nm制程将能够调整通道宽度，以适应更多客户的需要。三星电子还强调，其GAA技术的设计优势来自于DTCO（设计技术协同优化），这能够帮助提升芯片的PPA（性能、功率、面积）。
和5nm制程相比，三星电子的第一代3nm制程能够降低45%的功耗，提升了23%的性能，并减小16%的面积。而第二代3nm制程将有进一步的优化，将降低50%的功耗，提升30%的性能，降低35%的面积。
此外，三星电子还提到，自2021年第三季度开始，其和Ansys、Cadence、Siemens、Synopsys等SAFE（SamsungAdvancedFoundryEcosystem）合作伙伴一起提供了经过验证的设计基础，这帮助三星电子的客户在短时间内完善了它们的产品。
三星电子总裁兼代工业务负责人SiyoungChoi称：“我们将继续在具有竞争力的技术开发中积极创新，并建立有助于加速技术成熟的流程。 ”
【刚刚，首个3nm量产官宣】据日经亚洲报道，三星电子正在位于韩国首尔南部的华城市生产3nm芯片。

文章图片
三星电子副总裁MichaelJeong（左一）、企业执行副总裁Ja-HumKu（左二）、三星代工业务公司副总裁SangBomKang（左三）正在三星电子华城园区的生产线上举起3nm晶圆（图片来源：三星电子）
二、三星3nm首个客户或为中国公司，台积电下半年量产3nm据外媒报道，三星电子3nm制程的首个客户是中国挖矿芯片公司，也有消息称三星电子已收到高通的预定订单，高通将随时能够采用其3nm工艺。
本月初，三星电子副会长李在镕访问欧洲，拜访了包括IMEC（比利时微电子研究中心）和荷兰光刻机公司ASML在内的重要供应链机构和公司。
当前，三星电子正在美国德克萨斯州泰勒市投资170亿美元，建设新的先进制程晶圆厂。该工厂计划于2024年下半年投产，占地超过500万平方米。三星电子将该晶圆厂和其位于韩国平泽市的晶圆厂并列，将两处的晶圆厂视作其未来全球半导体制造的关键。