国产|国产“28nm光刻机”重大进展！交付0号样机、1号机光刻机|28nm|国产“28nm光刻机”

备受关注的国产“28nm光刻机”又有新进展！其关键零部件——光刻机浸液系统已经成功交付，并进入产品制造阶段！
杭州市临安区人民政府于6月14日发布的一份题为《杭州市临安区经济和信息化局关于区政协十届一次会议第203号提案的复函》的文件当中提到：“启尔机电（浙江启尔机电技术有限公司）承担的光刻机浸液系统项目、光刻机受制约关键零部件国产化产品研发项目等两个02专项，其中，光刻机浸液系统项目已成功交付0号样机、1号机，进入产品制造阶段。华卓精科承担的02专项光刻机工件台项目加快建设。”

文章图片

另据浙江省税务局网站6月14日发布的信息也显示，近期启尔机电高端集成电路装备迭代至第8代，高精度液体温控误差不超过正负0.001度，零部件中试基地也正式启用，组件试验进展顺利。
随着启尔机电承担的“光刻机浸液系统项目”成功交付0号样机、1号机，并进入产品制造阶段，也意味着国产193nm ArF浸没式光刻机又一个受制约的关键零部件被攻克。
为什么需要浸液系统？
自2019年中美贸易战爆发以来，美国持续打压中国科技的发展，其中半导体产业更是美国打压的重点。在此背景之下，中国也在加紧打造国产半导体产业链。而对于半导体制造来说，光刻机可谓是核心的环节。
虽然国产光刻机厂商上海微电子装备（SMEE）早已推出的SSA600系列光刻机可满足 IC 前道制造 90nm、110nm、280nm 关键层和非关键层的光刻工艺需求，该设备可用于 8吋线或 12 吋线的大规模工业生产。
但是，与ASML这样的全球光刻机巨头相比，该SSX600系列光刻也仅仅是ASML十多年前的水平。

文章图片

而为了加快国产光刻机的发展，在国家02专项光刻机二期项目规划中，希望在2021年底实现国产193nmArF浸没式DUV光刻机的突破，对标产品为ASML 2018年推出的DUV光刻机：TWINSCAN NXT:2000i 。

文章图片

由于该国产193nmArF浸没式DUV光刻机可以被用于制作28nm芯片（经过多次曝光可以支持7nm制程的芯片制造），因此，之前国内网络上众多网友也将其称之为“国产28nm光刻机” 。
由于光刻机涉及到非常多的零部件，其中上微主要是负责系统集成工作，更多的核心零部件则都是由其他的国产供应商来供应。只要其中一个核心部件没有搞定，那么“国产28nm光刻机”就难以成功。
虽然SMEE目前的SSA600系列光刻机能够用于IC前道90nm关键层的制造，似乎看上去与28nm差距并不是太大，都是用的193nm ArF光源，但是实际上，要对标TWINSCAN NXT:2000i ，不仅三大子系统（曝光光源系统、物镜系统、工件台）要进行大幅度的升级，更为关键的是还需要增加浸润单元。

文章图片