三星电子|三星电子芯片高管洗牌,计划6月量产GAA工艺3nm芯片,赶超台积电

三星电子|三星电子芯片高管洗牌,计划6月量产GAA工艺3nm芯片,赶超台积电

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三星电子|三星电子芯片高管洗牌,计划6月量产GAA工艺3nm芯片,赶超台积电

目前全球的芯片代工主要台积电与三星两家 , 而三星近两年的工艺与台积电相比落下风 。 近日 , 据韩媒BusinessKorea报道的消息 , 三星电子已经更换下一代芯片半导体研发中心的负责人 , 并且对代工业务的主要高管进行了洗牌 。

据了解 , 三星电子任命为Song Jae-hyuk半导体研发中心的新负责人 , 此前该人在垂直NAND闪存的转变和超级堆叠NAND闪存的开发受到赞誉 。 另外在代工业务中 , 设备解决方案(DS)部门半导体业务全球制造和基础设施副总裁Nam Seok-woo将兼任代工制造技术中心负责人 , Nam Seok-woo是三星电子最好的存储半导体工艺开发专家之一 , 内存制造技术中心副总裁Kim Hong-shik被任命领导代工技术创新团队 。
【三星电子|三星电子芯片高管洗牌,计划6月量产GAA工艺3nm芯片,赶超台积电】
此次高管洗牌可能是为了解决良率低和未能开发第五代DRAM的问题 。 同时三星电子计划最早在6月量产世界上第一个基于GAA的3纳米芯片 , 超车台积电的量产3nm制程 , 如果能够确保稳定的产量 , 那将改变全球代工市场的格局 。 除此之外 , 还有消息称三星电子和英特尔可能试图共同接管ARM , 届时ARM技术或将被整合到三星电子的Exynos处理器中 。