ASML 分享 High-NA EUV 光刻机最新进展:目标 2024-2025 年进厂( 二 )


此外 , ASML已经开始生产其首个High-NA光刻系统 , 预计将于2023年完成(原型机) , 并将被Imec和ASML客户用于研发用途 。
ASML 分享 High-NA EUV 光刻机最新进展:目标 2024-2025 年进厂
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ASML首席执行官PeterWennink表示:“在High-NAEUV方面 , 我们取得了良好的进展 , 目前已经开始在我们位于维尔德霍芬的新无尘空间中打造第一个High-NA光刻” , “在第一季度 , 我们收到了多份EXE:5200系统的订单 。 我们这个月也还收到额外的EXE:5200订单 。 我们目前已有来自三个逻辑芯片和两个存储芯片客户的High-NA订单 。 EXE:5200是ASML的下一代高NA系统 , 将为光刻技术的性能和生产力提供下一步的发展 。 ”
ASML 分享 High-NA EUV 光刻机最新进展:目标 2024-2025 年进厂
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ASML 分享 High-NA EUV 光刻机最新进展:目标 2024-2025 年进厂】ASML的TwinscanEXE:5200比普通的TwinscanNXE:3400C机器要复杂得多 , 因此打造这些机器也需要更长的时间 。 该公司希望在未来中期能够交付20套High-NA系统 , 这可能意味着其客户将不得不进行竞争 。
“我们也在与我们的供应链伙伴讨论 , 以确保中期大约20个EUV0.55NA系统的交付能力 , ”Wennink说 。
到目前为止 , 唯一确认使用ASMLHigh-NA光刻机的是英特尔18A节点 , 英特尔计划在2025年进入大批量生产 , 而ASML也是大约在那时开始交付其High-NAEUV系统 。 但最近英特尔已经将其18A的生产规划推迟到2024年下半年 , 并表示可以使用ASML的TwinscanNXE:3600D或NXE:3800E来生产 , 可能是通过多重曝光模式 。
从这一点来看 , 英特尔的18A技术毫无疑问会大大受益于High-NAEUV工具 , 但也并非完全离不开TwinscanEXE:5200机器 。 在商言商 , 虽然18A不一定需要新机器 , 但多重曝光模式意味着更长的产品周期、更低的生产率、更高的风险、更低的收益率 , 和更难的竞争 。 所以 , 英特尔肯定也希望它的18A节点尽快到来 , 从而重铸往日荣光 , 好从台积电手中夺回曾经的地位 。
《每台价值4亿美元:ASML正研发的下一代High-NA光刻机有望于2023年上半年亮相》