纳米|清华大学重大突破，实现小于1纳米晶体管，外媒：台积电要合作？台积电|清华大学|芯片|it芯片

【纳米|清华大学重大突破，实现小于1纳米晶体管，外媒：台积电要合作？】

文章图片

文章图片

文章图片

近年来，芯片产业的发展越来越快，芯片的生产工艺也越来越先进，这为产业中的供应链制造了很大的难题。

例如光刻机也采用EUV光刻机，而且还需要大数值孔径的镜头，芯片制造的技术也要更新，但是最近却频繁曝出，三星和台积电良率太低的问题。
总之我们看到，想要实现摩尔定律每两年晶体管翻一番的规律，已经越来越难了。
因此我们近日就发现，像英特尔、台积电、三星这些芯片制造大厂，都开始在先进封装领域投入重金。

也就是说，它们都希望通过利用先进封装技术，在不用采用更先进制造工艺的情况下，也能集成更多的晶体管，实现性能的提升
最近苹果发布的M1 Ultra芯片就是采用台积电的先进封装技术。
但是这样的技术也有弊病，它增加晶体管的措施，本质上是增加了芯片的面积或者体积，也就是用空间换性能，让芯片更大。

然而并不是所有设备都可以支持更大的芯片，所以先进封装技术有用，但是只能是一个过渡技术，本质上还是要解决单位面积晶体管的集成问题，也就是说，还是要突破制造工艺。
近日清华大学集成电路学院就正式官宣，表示在小尺寸晶体管领域实现了重大突破。

清华大学集成电路学院任天令教授团队首次实现了亚1纳米晶体管，所谓的亚1纳米，就是小于1纳米，也就是说，清华大学方面将芯片制造工艺带进了皮米时代。
在传统的芯片制造上，主要采用的是硅为主要原材料，而这次清华大学方面采用了硫化钼材料，打造的亚1纳米晶体管具备可控的电气性能，目前该技术已经发表在国际顶级期刊“自然”杂志。

目前在芯片制造领域，台积电处于领头羊的地位，根据媒体的报道称，由于三星的良率太低，台积电拿走了大量的3纳米芯片订单。
不过台积电的3纳米工艺也有不足，良率也不高，不仅如此， 3纳米之后的下一代工艺将是2纳米，进而进入1.5纳米、1纳米等工艺。
不过现在我们还看不到台积电在2纳米或以下工艺的进展信息，因此有外媒就表示，这次清华大学集成电路学院的重大突破，台积电是不是会要与其合作呢？

这种可能性不是没有，要知道，就在不久前，清华大学方面还在光刻机光源技术上实现突破，并引起了国际社会的广泛关注。
主要原因就在于，该项被称为SSMB光源的技术，可以有效替代EUV ，而且可以做到光源波长更小，功率更大。
而根据之前ASML方面的表述，其对下一代EUV光刻机的发展，主要就要依赖大数值孔径的镜头，可见在EUV光源方面， ASML已经没有很好的办法改进。

但清华大学在光刻机光源和亚1纳米芯片制造方面同时实现突破，这无疑代表了未来芯片制造的一个新方向，对于台积电来说，与清华大学合作只有好处而没有坏处。