三星|三星芯片：全线败退( 三 ) 代工厂|DRAM|三星芯片：全线败

三星代工问题更深层次。正如我们去年报道的那样，他们的 3nm GAP 节点的代工产品甚至直到 2024 年才向外部客户发货。3GAE ，第一个全环绕 (GAA) 节点，一直在默默地推迟，甚至可能被取消。
据称良率极低。对于任何认为三星可以因为台积电的 N3 问题和 N2 于 2025 年底开始生产赶上台积电的人，你将大错特错了。
三星失误并失去了他们最大的代工客户高通和他们的第二大代工客户英伟达。
不过，三星 LSI 并非完全混乱。他们通过设计精良、价格合理的高效芯片在 5G 基础设施市场获得份额。他们还在现代和大众等信息娱乐系统中赢得了许多汽车领域的胜利。
S.LSI 似乎很适合与客户密切合作，例如在Tensor 智能手机 SOC 上与 Google 合作。尽管取得了成功，但 S.LSI 似乎每一次机会都受挫，因为三星 Foundry 似乎已经让他们失去了下一代Cisco Silicon One 网络 ASIC 的合同，而这已经输给了英特尔！
LSI 多年来一直与特斯拉在自动驾驶/ADAS HW 3.0 方面密切合作。这是特斯拉在三星的协助下共同设计的芯片，双方都为最终的芯片设计贡献了有意义的 IP 。这种芯片设计已向特斯拉的车辆运送了数百万个单元。HW 4.0 原定于去年年底投产，但似乎推迟到了今年。除了安霸，特斯拉是 S.LSI/Foundry 唯一的主要外部客户。
LSI 最近还犯了其他错误，例如在图像传感器市场。他们的 ISOCELL 智能手机传感器采用混合粘合的速度很慢，这与自 2017 年以来一直在批量出货的索尼不同。
此外，他们未能在选择在高端使用索尼和在 Omnivision 上使用的中国智能手机制造商中获得份额。独立的摄像头传感器和摄像头属于他们自己的部门，称为三星 NX ，但此后也被淘汰了，即使在三星对独立摄像头进行了数十年的投资之后也是如此。
三星 DRAM 灾难
三星电子的摇钱树三星DRAM也并非一帆风顺。5年前，三星在密度、性能、成本结构上无疑要优于美光和SK海力士。在那些日子里，一些估计将它们提前一年半。
现在，尽管与这两个同行相比，三星的数量要大得多，但在其中一些指标上，三星可以说落后于美光和 SK 海力士。三星出于文化问题而在工艺开发方面过于激进的行为是罪魁祸首。
简要介绍一下，随着电容器规模的放缓， DRAM 密度和成本规模大幅放缓。1Xnm 一代是这种大幅放缓的第一个迹象，但从那时起，每个节点的成本扩展只有 15% 左右。
密度增长是如此不温不火，以至于 DRAM 制造商已经转向使用字母作为后缀，而不是像 20nm 之前的一代那样使用数字。相对于成本、功耗和性能方面的竞争，三星在 1Y 代时遥遥领先。
这一切都随着 1Z 代而改变。三星决定在 EUV 采用上非常积极。这是一个自上而下的决定，而不是工程。这些自上而下的决定在三星电子中非常普遍，它们是我们一直指出的文化问题的结果。对于 1Z ，三星宣布他们将采用 EUV 。这是在大肆宣传和媒体的情况下完成的。三星为这一“成就”感到无比自豪。
三星通过吸收约 50% 的 EUV 工具主导了 EUV 的早期出货量。三星试图将其插入 DRAM 以及他们早期的 7nm 逻辑尝试失败。1Z DRAM 节点从未完全加速。这一趋势在下一代 1 Alpha 节点中继续存在，进一步提高了 EUV 的利用率。据报道，该节点的开发时间更长。虽然三星声称 1 Alpha 已经量产了很长一段时间，但它仍然没有显着增加。与此同时， SK 海力士和美光已经能够在成本、性能和功率方面赶上他们的 1Z 代，它们没有使用 EUV 。