Intel|Intel扩建厂房安装ASML下代最先进EUV光刻机：“2nm”工艺提前投产晶体管|光刻机|Intel|18A|Intel扩建

今年3月份，Intel CEO帕特基辛格（Pat Gelsinger）曾在投资交流活动中透露，Intel 18A工艺将比原定时间提前半年投产，现在Intel正用实际行动践行着承诺。
本周，Intel在位于美国俄勒冈的D1X工厂举办隆重的Mod3扩建仪式，并将此地命名为戈登摩尔公园（Gordon Moore Park）。

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Mod3的说法类似于我们游戏中所谓的Mod，也就是模块，实际上，这是Intel为D1X工厂打的第三个MOD“补丁”，也是第二次扩建，投资高达30亿美元。
D1X-Mod3的主要工作实际上从去年8月份就开始了，其重大意义在于，为工厂增加了2.5万平米的洁净室空间，将D1X扩大了20%，这便为最终足以搬进ASML的下一代最先进高数值孔径（High NA）EUV光刻机TWINSCAN EXE:5200 EUV创造必要条件。
【Intel|Intel扩建厂房安装ASML下代最先进EUV光刻机：“2nm”工艺提前投产】
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和服务Intel 3/4工艺的NXE 3000系列EUV光刻机相比，EXE 5200大了很多，突破了D1X原“天花板” 。
回到18A工艺制程，提速后，最快可以在2024年三季度登场。
关于18A，简单解释下。其实按照Intel之前多年“老实”的命名习惯，其对应5nm+ 。但由于对手台积电、三星早就破坏了晶体管尺度定义规范，Intel索性也下场“肉搏”了。外界倾向于认为，18A对应18埃米，也就是1.8nm，对标的是台积电2nm 。
修订后的Intel最新工艺路线图如下：

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可以看到，今年开始到2024年，Intel的制程迭代将会非常紧凑，下半年会有第一代大规模使用EUV的Intel 4（原7nm），明年下半年则是最后一代FinFET晶体管的Intel 3（原7nm+）。
2024年会全面进入基于环绕栅极晶体管技术的RibbonFET晶体管时代，同时还有Intel独创的PowerVia背面电路，首发是Intel 20A（原5nm），名义2nm 。

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Intel新老工艺命名及指标整理，供参考