3d|开年不利，NAND遇连环危机江苏激光联盟|山东省贸促会

这是铠侠的多事之秋，继三家分拆的消息之后，其NAND工厂又检出原料污染问题。
2月初，铠侠发表声明，在三重县四日市工厂和岩手县北上工厂，由于自家工厂在制造过程中使用的材料受到污染，影响到了3D NAND芯片生产，并表示将会体现在第一季度的出货量上。而西部数据（Western Digital）就与铠侠的合资闪存制造设施的生产状况表示，西部数据目前对影响的评估是其闪存可用性减少了至少 6.5 EB（1 EB=1024 TB）。
因为3D NAND 闪存生产周期时间长，一般需要两到三个月，因此本次原料问题导致的供应中断将可能在生产重启后的几个月内展现出影响。在原料受污染问题出现后，Trend Force预测今年第二季度闪存价格将上涨5%至10%，并最终影响基于SSD和NAND闪存的产品。
由于原料污染系不明原因，铠侠还没有对本次问题的后果做出估计，如果铠侠发布对其自身生产影响的确切估计，闪存价格有可能再次上涨。

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来源：TrendForce。注：英特尔NAND Flash部门在2021年下半年被SK海力士收购，收购结束之后，SK海力士的NAND Flash份额或将跃升第二位
在NAND Flash领域，铠侠和西部数据市占率超过3成。NAND Flash技术壁垒高，同时也有较强的价格波动特性。2021年下半年以来，智能手机、电视等消费类电子产品的出货量低于预期，同时存储卡和U盘在内的零售存储产品需求也身处低迷。咨询机构称，2022年第一季整体NANDFlash价格跌幅将收敛至8~13%，由于供给而导致的价格上涨成为今年NAND的一个小插曲。这边水深火热，三星和SK海力士则稳步前进，同行的悲欢并不相通。
技术霸主争夺战少了谁？本月初，三星电子计划在2022年底或2023年上半年推出200层以上NAND闪存，并且明年上半年开始批量生产。三星曾计划在去年年末量产176层NAND，但目前已经推迟到了今年第一季度。
对比三星的NAND技术，美光稍稍领先，已经开始量产176层NAND。三星加快200层以上NAND闪存量产的部分，也是为了夺回被美光夺走的技术领先地位。三星将在128层的单片存储器上叠加96层，推出224层的NAND闪存。与176层相比，224层NAND闪存的生产效率和数据传输速度将提高30%。
在技术研发上，SK海力士和美光也毫不退让。
在2019年SK海力士发布的技术路线图中，SK海力士2020年计划实现176层研发，2021年年中完成量产出货。果不其然，2020年12月，SK海力士介绍首家报道了其176层NAND研发成果，第三代4D NAND闪存达到业界最高水平，比上一代128层产品提高了35%以上生产率，新产品的读取速度比上一代加快20%，数据传输速度达到每秒1.6GB，提高了33%。
回顾来看，其实际进度完全符合路线图计划。另外，根据其路线图，SK海力士预计在2030年推出800+层的闪存，可以轻松制造出100-200TB容量的SSD硬盘。
2020年年底，美光宣布可以出货176层3D NAND芯片，与上一代的96层3D NAND相比，容量提高了近2倍。2021 Computex上美光宣布，将发布采用176层3D NAND的PCIe 4.0SSD，还有性能更高的智能车载系统NAND芯片，以及密度更大的DRAM内存。美光公司此前还表示，将努力提高在整个行业的利润中的份额，而非其在行业产量中的份额。这表示，美光正在低调做事，在技术特别是堆叠能力上，美光毫不逊色。

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反观铠侠和西数，NAND闪存是由东芝于1987年首次提出的，虽然铠侠在2016年就已经展望了200层以上的堆叠，但是后来被美光等后来者抢先研发。
2019年铠侠和西部数据基于96层QLC单颗Die容量实现了1.33TB容量，2020年初推出的第五代3D NAND技术，采用的是112层堆叠BiCS5，初步量产的是512GB TLC产品，已经面向消费类的产品发售，QLC 单颗Die容量将达1.33TB，而新一代BiCS6还未公开透露消息。