孟子义|小米自研芯片被骂贴牌,官方实锤来了

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华为有性能爆表、功耗优秀且自主研发而来的麒麟芯片;
vivo 有服务于专业影像计算系统的 V1 影像芯片;
临近发布的 OPPO FIND X5 会带来其首款自研的 NPU 芯片 —— 马里亚纳 MariSilicon X;
至于小米 , 为了实现手机上的 120W 单电芯 技术 , 自主研发了澎湃 P1 充电芯片 。



这对于小米来说本来是一件值得骄傲的事 , 但最近却 “出事” 了 。
前不久 , 有一名微博用户发布推文 , 写着澎湃 P1 配上一个微笑的表情 , 配文下方是一张澎湃 P1 芯片与南芯半导体芯片的晶圆丝印对比 , 从图中可以看到 , 两者几乎一模一样 。

对此就有网友留言表示 , 澎湃 P1 芯片是买来的 。

随着谣言的进一步扩散 , 事件方的另一位主角 , 南芯半导体看不过去了 , 在当天就发表了官方声明 。

官方表示 , 小米澎湃 P1 芯片为小米自研设计、南芯半导体代工(内部代号 SC8561) 。 这款芯片具备超高压 4:1 充电架构 , 实现了 120W 单电芯充电 。
支持 1:1、2:1 和 4:1 的转换模式 , 所有模式均可双向导通 , 可实现有线 120W、无线 50W、无线反充等多种充电功能 。
同时官方还在声明中称 , 南芯半导体此前曾在 2021 年 9 月推出代号为 SC8571 的芯片 。 该芯片为超高压 4:2 充电架构 , 同样可以实现 120W 双电芯充电 。
小米自研的澎湃 P1 芯片与南芯 SC8571 在拓扑结构上完全不同 , 是不同设计、不同功能、不同定位的两颗充电芯片 。

简单点来说就是澎湃 P1 由小米自主研发设计 , 南芯负责代工 。 这就好比苹果 A15 是由台积电负责代工 , 高通骁龙 8 Gen 1 芯片由三星代工 , 是一个道理 。

其次 , 充电芯片不像手机的 SOC , 需要集成通信基带、GPU 图形处理器、ISP 图像处理器、NPU 神经网络处理器等等 , 难度相较而言没有那么大 。
而小米作为一家市值接近 4000 亿港元(之前突破了 4000 亿但又跌落下来了)的科技公司 , 想做好一个充电芯片也是没有问题的 , 就算用钱砸也能砸出来 。

所以关于自研芯片这件事 , 小米没必要搬起石头砸自己的脚 , 给自己留下不必要的信任危机和把柄 。
我们再来说说充电芯片这件事 , 其实 120W 目前已经见怪不怪了 , 也不是小米独有 。
和小米合作代工的南芯半导体 , 就曾在 2021 年 9 月推出代号为 SC8571 的芯片 。 该芯片为超高压 4:2 充电架构 , 同样可以实现 120W 双电芯充电 。
但是 , 小米这颗澎湃 P1 芯片还是要更胜一筹的 。 它是行业首次实现 “120W 单电芯” 充电技术 。 而之前都是采用的串联双电芯 。