先进封装最强科普( 五 ) 半导体实验室赵工半导体工程

其他应用，例如索尼制造的CMOS图像传感器，其间距已经达到6.3微米。为了保持比较， 36微米间距的凸点密度高出31倍， 17微米间距实施的铜TSV的IO密度将提高138倍，而索尼的6.3微米间距的CMOS图像传感器的IO密度比标准翻转芯片高567倍。

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这只是对主要封装类型的基本解释，但我们将深入研究本系列中的不同类型的封装。对未来的封装类型、工具以及工具供应商有很多不同的赌注。设备和IP方面比人们乍一看想象的要兴奋得多，但在我们深入研究之前，需要先解释基础知识。
对于即将到来的创新海洋，有很多可投资的想法和角度。摩尔定律的放缓正在推动根本性的变化。我们正处于先进封装推动的半导体设计复兴之中。
来源：半导体行业联盟

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半导体工程师
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