华为“站台”的天岳先进,配不上第三代半导体“全村的希望”?
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在第三代半导体衬底材料领域 , 天岳先进已跻身行业前列 , 面对封锁与突破 , 公司未来的发展道阻且长 。
2021年的最后一天 , 华为轮值董事长郭平发布了新年致辞 , 并披露了华为2021年略显无奈的经营状况 。 2021年全年 , 华为的营收为6340亿 , 同比骤降28.9% 。
2020年 , 美国对华为芯片管制升级令正式生效 , 台积电停止为华为代工生产麒麟芯片 。 此举给华为的手机业务带来了重创 。
如今 , 前五大手机厂商已经没有了华为的身影 , 曾经雄霸天下的华为手机在统计中被归为了“Others” , 令人唏嘘 。
这一切 , 都是源于国内高端半导体产业不能实现自主可控 。 没有相关技术 , 被国外“卡脖子”的情况就不可避免 。
作为国内第三代半导体碳化硅衬底的龙头 , 天岳先进(688234)即将登陆科创板 , 丰富国内半导体产业的版图 。
华为旗下哈勃投资在2019年的入股 , 绑定国内科技龙头 , 天岳的上市更加引发市场的关注 。
天岳的主营业务属于第三代半导体 , 被奉为“全村的希望” 。 在国外部分发达国家对我国实行技术封锁和产品禁运的背景下 , 天岳的未来之路注定不是一帆风顺的 。
第三代半导体 , 兵家必争之地
半导体已经深入到生活的方方面面 , 它是电子产品的核心 , 是信息产业的基石 , 亦被称为现代工业的“粮食” 。 那么何为半导体?
常见的半导体材料包括硅(Si)、锗(Ge)等元素半导体材料以及砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等化合物半导体材料 。
广义上 , 半导体指的是在半导体材料上制作的芯片或者器件 。 其中 , 硅基集成电路是最常见的 , 我们熟知的CPU , GPU芯片都属于这个范畴 。 通俗地讲 , 这种芯片就是在硅片上印刷电路 , 变成小型化的高速计算器 。
目前 , 90%以上的半导体产品是用硅基材料制作的 , 在行业内被统称为第一代半导体 。
第一代半导体在中国大陆起步较晚 , 与国际巨头的差距很大 。
举个简单的例子 , 台积电和三星在2021年就已经可以量产5纳米制程的芯片;而国内领先的中芯国际 , 成熟制程却只有14纳米 。
要知道 , 2016年高端手机芯片已经达到14纳米的制程 。 看似小小10纳米的差距 , 实则是巨大的代际鸿沟 。
尽管国家在近几年大力支持发展半导体行业 , 相关产业也得到了飞速的发展 , 然而技术的突破不是一蹴而就的 , 行业的经验需要时间的积累 。
第一代半导体制程的落后致使国内芯片设计厂商受制于人 , 上文提及的华为被制裁就是典型的案例之一 。
不过 , 希望总是要有的 。
随着智能化的普及 , 第三代半导体逐渐找到了适合其自身的商业定位 。
第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表 , 具备诸多更有优势的物理属性 , 更适用于高温度、高电压、高频率的场景 , 例如各大手机厂商的快充充电头就是依靠氮化镓器件实现的 。
(第一代和第三代半导体材料各有利弊 , 并无绝对的替代关系 , 而是在特定的应用场景中存在各自的比较优势 。 )
通常来说 , 第三代半导体分为碳化硅和氮化镓两个应用分支 。 两者都需要碳化硅衬底 , 继而再进行外延(在衬底上淀积一层单晶) 。 不同点在于两者的碳化硅衬底不同 , 最终的应用方向也不同 。
氮化镓需要在半绝缘型碳化硅衬底上 , 淀积氮化镓外延而得到 。 碳化硅需要在导电型碳化硅衬底上 , 淀积碳化硅外延而得到 。
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