芯片|无需3nm工艺 全球首颗商用存内计算SoC问世:功耗低至1毫安

芯片|无需3nm工艺 全球首颗商用存内计算SoC问世:功耗低至1毫安

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台积电明年就要宣布量产3nm工艺 , 这是当前最先进的半导体工艺 , 然而3nm这样的工艺不仅成本极高 , 同时SRAM内存还有无法大幅微缩的挑战 , 国产半导体芯片公司知存科技今年3月份推出了WTM2101芯片 , 是全球首颗商用存内计算SoC 。

存内计算是一种新型架构的芯片 , 相比当前的计算芯片采用冯诺依曼架构不同 , 存内计算是计算与数据存储一体 , 可以解决内存墙的问题 , 该技术60年代就有提出 , 只是一直没有商业化 。
知存科技的WTM2101芯片是国际首颗商用存内计算SoC芯片 , 拥有高算力存内计算核 , 相对于NPU、DSP和MCU计算平台 , 其AI算力提高了10-200倍 。
【芯片|无需3nm工艺 全球首颗商用存内计算SoC问世:功耗低至1毫安】
据该公司创始人、CEO王绍迪介绍 , 这款芯片是知存科技首次尝试在低功耗场景下量产的存内计算芯片 , 一般运行功耗在1毫安至5毫安之间 。
此前还有报道 , 除了WTM2101芯片 , 知存科技也针对更高性能的视频增强场景正在开发WTM8系列芯片 , 新一代架构可以在单核提升算力80倍 , 提升效率10倍 , 目前验证芯片已经回片 , 预计2023年正式发布 。