文章插图
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GaAs晶圆片污染的表征。我们开发了一种湿法蚀刻程序来清洗晶圆片，以便重复使用。目前的研究表明有两种选择：通过去除元素碑层，可以在蚀刻后（或在黑暗和/或真空中储存后）立即清洗晶片；或者可以在蚀刻后储存晶片，以便形成As2O3颗粒，然后通过溶解它们或在刷子装置中去除它们。
结论
为了在ELO之后开发一种用于晶片的湿法蚀刻清洗程序，研究了在该过程虫形成的污染。在HF溶液中，蚀刻期间出现在GaAs晶片上的棕色层被证明由元素砷组成。砷的形成有两种机制。在黑暗中蚀刻是化学反应，导致砷化氢形成，然后可以分解为元素砷。当GaAs暴露在光线下时，会形成电子-空穴对；这些孔用于阳极蚀刻反应，在表面形成均匀的砷层。在存储蚀刻样品时，沉积的砷层逐渐氧化并形成As203微晶。
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