芯片|中芯国际14nm工艺，华为叠加芯片技术，5G麒麟芯片稳了？( 三 ) 华为|5G|中芯国际|it芯片|5g通信

好消息是，这些关键零部件已经完成突破，典型代表：武汉凡谷、韦尔股份、卓胜微、中芯国际等等。
最大的突破当属中芯国际的14nm工艺，已经仅次于台积电、三星、英特尔这些巨头了。但是，这里面仍然有两点不能放松。
第一、中芯国际14nm FinFET工艺自主程度
FinFET（鳍式场效应晶体管），是一种新的互补式金氧半导体晶体管。它的命名是因为晶体管的形状与鱼鳍相似。

FinFET是由微电子学家胡正明发明的，胡正明是外籍华人， 2001年至2004年在台积电任技术执行长。
1998年，胡正明带领加州大学团队展开研究如何攻克25nm工艺，提出了自对准的双栅 MOSFET 结构，因为该晶体管的形状类似鱼鳍，所以称为 FinFET 晶体管。
之后，胡正明教授及其团队成员成功制造出第一个 n 型 FinFET ，它的栅长度只有 17nm ，沟道宽度 20nm ，鳍（Fin）的高度 50nm 。相当于20nm芯片。
1999年，团队研发出第一个 p 型 FinFET，它的栅长度只有 18nm ，沟道宽度 15nm ，鳍的高度 50nm 。相当于15nm工艺芯片。

2000 年，胡正明教授及其团队发表了 FinFET 和 UTB-SOI 的技术文章，同年，胡正明教授凭借 FinFET 获得美国国防部高级研究项目局最杰出技术成就奖。
之后， FinFET成为了14nm、7nm、5nm芯片工艺的标准，台积电、三星电子、英特尔、中芯国际在相关制程上均采用该技术。
据了解，中芯国际第一代FinFET 14nm工艺在2019年第四季度就完成了量产，公司研发的FinFET技术将主要应用于5G、人工智能、物联网、消费电子及汽车电子等新兴领域，仍在进一步扩大公司产品和服务的应用范围。
升级版FinFET N+1工艺此前计划在2021年规模量产，但从未明确具体数字节点，只是说相比于14nm性能提升20％、功耗降低57％、逻辑面积缩小63％、SoC面积缩小55％。
最终还有N+2工艺，性能和成本都更高一些，个人认为N+2工艺更适合华为的麒麟芯片。
这里有一个问题，那就是中芯国际的FinFET技术，自主成分有多高呢？有多少是直接采用了“第三方”的技术，会不会有限制？
这仍是一个疑问，由于涉及公司核心技术，这里无法做出进一步解释。
中芯国际的DUV光刻机受限程度

早在2021年3月，中芯国际就公布了高达12亿美元的采购大单，用于购买ASML的DUV光刻机。
DUV光刻机与EUV光刻机最大的区别就是工艺制程， DUV光刻机主要用于14nm以上工艺的芯片制造，而7nm以下需要EUV光刻机才能做到。
这也是中芯国际止步14nm的最大原因，据CEO梁孟松介绍，目前公司已经攻克了7nm技术， 5nm、3nm也在稳步的推进，只待EUV光刻机。

实际上， ASML不但垄断了EUV光刻机，甚至绝大部分DUV光刻机也都来自ASML ，包括中芯国际目前使用的DUV光刻机。
最尴尬的是， ASML表面上看是荷兰的公司，实际上根本做不做了主，要听命于“漂亮国” 。
荷兰ASML公司的CFO罗杰·达森曾公开表示， ASML公司目前对于出口中国深紫外DUV光刻机已经不再受到制约，也无需经过他国批准。
这一点可以从中芯国际的12亿美元订单看出， DUV光刻机能够购买的原因无外乎两点：
第一、DUV光刻机已经落伍，它的极限就是14nm芯片， 14nm芯片其实有点鸡肋，用在手机、电脑上明显落后，用在军工等领域，它又显得不成熟，没有28nm靠谱。
第二、中国的光刻机研发一直在进步，上海微电子研发的28nm光刻机即将突破，对DUV光刻机需求开始降低。
购买没有限制了，那么使用会有限制吗？