碳化硅MOS进入消费电源市场，即思创意发布65W SiC快充方案( 二 ) 随着特斯拉首先在Model3的主牵

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FSS推出的SiCMOSFET与搭配应用功率的选型参考
以65WPD充电头为例，使用FSS的碳化硅MOSFET搭配有源钳位反激(ACF)主控芯片的方案，可以在30W/in3的功率密度下提供最高达94.1%的满载效率(C口输出) ，且满载烧机后，在115V输入时SiCMOS管的温度仅约60°C、在230V输入时仅约65°C 。使用FSS的SiCMOSFET搭配准谐振反激(QRFlyback)主控芯片时，效率也达到93.5%~93.7% 。

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上图为FSS的SiCMOSFET搭配有源钳位反激(ACF)的65WPD充电头方案之效率曲线，功率密度可达30W/in3 ，提供最高94.1%满载效率。
关于即思创意
即思创意(FastSiCsemiconductorInc.,FSS)位于中国台湾新竹，是专精于碳化硅(SiC)功率器件的半导体芯片公司。核心研发团队来自知名外商、知名国内外碳化硅研究机构以及中国台湾大学、清华大学、交通大学等研发型高校的硕士博士，团队发展碳化硅芯片经验十余年。
FSS主要研发生产碳化硅二极管以及MOS管，已开发出业界极小尺寸的碳化硅肖特基二极管以及国际领先水平的碳化硅MOS管。 FSS推出的MOS管与二极管器件均通过AEC-Q101的严谨可靠性认证，产品规格含盖650VSiCMOSFET、1200VSiCMOSFET至2000V之高压SiCMOS管，并且电流规格从1A之小电流器件跨越至60A之高功率器件，并有更高规格产品陆续开发验证中。
【碳化硅MOS进入消费电源市场，即思创意发布65W SiC快充方案】FSS更针对车用、工控与消费性电子等不同的需求提供不同系列的驱动电压特性组件，期待能更加深入了解并解决系统端痛点，为创造低耗能的绿色家园，并及早达成碳达峰和碳中和目标尽一份心力。即思创意开发的碳化硅功率MOS管与肖特基二极管除了消费性领域的快充头外，也可以广泛地用于于新能源汽车、智能电网、轨道交通、工业控制、光伏逆变、伺服电源、PC电源等领域中。