碳化硅MOS进入消费电源市场，即思创意发布65W SiC快充方案随着特斯拉首先在Model3的主牵

随着特斯拉首先在Model3的主牵引电驱中采用了碳化硅(SiliconCarbide,SiC)MOSFET芯片后，世人对碳化硅的热烈讨论就不曾停歇，也加速了碳化硅MOS管在充电桩与新能源车中的采用以提升充电速度与续航里程。如今，即思创意(FastSiCSemiconductorInc.,FSS)发布了一系列典型耐压750V的SiCMOSFET ，将有望首次把以往只用于新能源车、航天和高阶工控等的碳化硅技术导入消费者随身携带的充电头中。

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FSS的PQFN5x6SiCMOSFET应用于65WPD快充
氮化镓(GaN)近年来以其高效率的优势在小型化、高密度的快充得到广泛的注目，为第三代半导体在消费级市场的应用吹起了号角，同样作为第三代半导体的碳化硅MOSFET ，却不曾出现在消费级电子产品中，究其原因，其理由有三：
一、碳化硅晶圆的成本高昂；
二、典型驱动电压较传统硅器件高，与主流PWMIC方案兼容性不佳，一般工控使用SiCMOSFET通常需要额外的闸极驱动IC；
三、部分碳化硅器件在高速切换时有较严重的EMI问题。
若要将SiCMOSFET应用至消费级市场中，首先要解决以上三个痛点。 FSS推出的Falcon系列SiCMOSFET ，首先配合现有PWMIC常见的闸极驱动电压进行了改进与设计，将闸极驱动电压Vgs(on)降至业界极低水平的12V ，使得碳化硅MOS可以用主流PWMIC进行直驱，而不需要额外使用闸极驱动器。
同时， FSS的SiCMOS管可使用与硅基方案几乎相同的闸极驱动方案推动，大幅简化了使用者设计开发的难度以及时间。并且FSS独特的Silent-Switch技术拥有极佳的EMI表现，使得SiC的EMI表现甚至优于许多的硅超结MOS管(SiSuper-JunctionMOSFET)方案。
在成本方面， FSS在产品设计及制造成本上进行了彻底地优化，使SiCMOS管的售价不会再如以往这么遥不可及。例如同样做65WPD快充方案，客户花在器件上的成本SiCMOS跟GaN器件相差不大，因为调试、驱动、EMI处理相对简单，所以整体BOM还有可能进一步降低。
FSS展示了其目前正在开发中的一款使用了碳化硅MOS管搭配有源钳位反激(ACF)控制器的65WPD充电头方案原型机，功率密度可达到41.5W/in3（折合2.5W/cm3）。

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使用FSSSiCMOSFET搭配ACF ，功率密度41.5W/in3的65W充电头方案和苹果5V/1A充电头的比较
在功率器件上，比起第一代半导体而言，第三代半导体的性能优越性显而易见，与现在市场上已非常火热的GaN方案相比， SiC有什么特殊的优势呢？
SiCMOSFET因长期被使用在高温、高稳定度需求的军规、航天、电动车等应用中， FSS的SiCMOS管也依照同样的标准进行设计，其额定结温高达175℃ ，同样芯片尺寸下的雪崩耐量是硅超结MOS管的20倍，氮化镓的1000倍，且所有器件均经过100%UIS测试，信赖性测试依照车规AEC-Q101的规范进行验证。
具备高可靠度、优秀的高温特性、抗干扰能力强、EMI表现良好、设计简单、需求更少的外部器件更少等优势，与原有硅基方案的兼容性优于GaN ，在制作高质量、高可靠度电源、简化热管理以及加速设计流程的部分能提供更多价值给客户。

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FSSSiCMOSFET应用于快充的优势
FSS目前针对快充、闪充等应用，推出了适用于18W到300W的一系列SiCMOSFET ，脚位均兼容现行的硅超结MOS管。封装部分， FSS针对高密度电源推出了从PQFN3x3、PQFN5x6、PQFN8x8、DPAK等贴片式封装，针对较大的功率也提供TO-220FP等标准插件式封装形式供客户选择。