四大功率器件厂商推出半桥氮化镓合封芯片前言随着百瓦充电器以及移动

前言
随着百瓦充电器以及移动电源的普及，大功率设备也开始使用USBType-C接口进行供电，组建了完整的生态，并且加快了USBPD的普及。但是对于高性能的计算设备来说， USBPD3.0协议提供的100W功率不是很够用，最新推出的USBPD3.1协议扩展了USBPD3.0的输出范围，支持28V、36V、48V输出，最高功率达到240W ，可以满足大功率的设备供电。
在PD3.1大功率电源设计里，半桥拓扑的应用愈发普遍。在半桥拓扑中使用分立氮化镓器件方案，不仅器件占板面积较大，而且会受到寄生电感等因素干扰，影响电源系统效率。于是越来越多的厂商着手推出半桥氮化镓合封芯片，将两颗半桥氮化镓器件和驱动器封装在一个芯片内部，简化半桥拓扑电源设计。下面充电头网为大家盘点一下各大功率器件厂商推出的半桥氮化镓合封芯片产品。
infineon英飞凌
英飞凌推出的半桥氮化镓集成功率级芯片IGI60F1414A1L ，适合低功率至中功率范围、小型轻量化的设计应用。外观为8x8QFN-28封装型式，针对散热效能进行强化，可为系统提供极高的功率密度。此产品包含两个140mΩ/600VCoolGaN增强型（e-mode）HEMT开关以及英飞凌EiceDRIVER系列中的电气隔离专用高低侧栅极驱动器。

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隔离栅极驱动器拥有两个数字PWM输入，让IGI60F1414A1L更易于控制。为了达到缩短开发时间、减少系统物料清单项目和降低总成本等目标，利用集成隔离功能、明确分隔数字和电源接地以及简化PCB配置等，皆是不可或缺的要素。
栅极驱动器采用英飞凌的单芯片无磁芯变压器（CT）技术，将输入与输出有效隔离。即便在电压上升或下降速率超过150V/ns的超快速切换瞬时下，仍可确保高速特性和杰出的稳定性。

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英飞凌IGI60F1414A1L的切换特性可以简易地根据不同的应用借由一些栅极路径的被动元件诸如阻容器件实现。例如，此特性可使电流或电压速率优化，以降低电磁干扰（EMI）效应、稳态栅极电流调整和负栅极电压驱动，在硬切换开关应用中稳定运行。
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ST意法半导体
ST意法半导体目前已推出至少5款MasterGaN半桥器件， MasterGaN器件内部集成了两颗650V耐压的GaN开关管及驱动器，组成半桥器件，是一款先进的系统级功率封装，可输入逻辑电压信号轻松控制器件，支持零下40到125摄氏度工作温度范围。

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ST意法半导体MasterGaN1内部集成半桥驱动器和两颗耐压650V ，导阻150mΩ的高压GaN开关管，集成在9*9*1mm的QFN封装内，工作电流10A ，低侧和高侧均具有欠压关闭保护。驱动器内置自举二极管，内置互锁功能，且具有准确的内部定时匹配。

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ST意法半导体MasterGaN1通过内部集成半桥驱动器和GaN开关管来减少元件数量，同时其走线方便布局设置，可实现灵活简洁快速的设计。

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ST意法半导体MasterGaN2内部集成了半桥驱动器和两颗耐压650V的高压GaN开关管组成非对称半桥，上管为225mΩ ，下管为150mΩ ，集成在9*9*1mm的QFN封装内，工作电流最高10A ，低侧和高侧均具有欠压关闭保护，可用于ACF拓扑。