四大功率器件厂商推出半桥氮化镓合封芯片( 二 ) 前言随着百瓦充电器以及移动

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ST意法半导体MasterGaN2集成的驱动器内置自举二极管，内置互锁功能，且具有准确的内部定时匹配。

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【四大功率器件厂商推出半桥氮化镓合封芯片】ST意法半导体MasterGaN3内部集成了半桥驱动器和两颗耐压650V的高压GaN开关管组成非对称半桥，上管为450mΩ ，下管为225mΩ ，集成在9*9*1mm的QFN封装内，工作电流最高6.5A ，低侧和高侧均具有欠压关闭保护。

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ST意法半导体MasterGaN4内部集成半桥驱动器和两颗耐压650V ，导阻225mΩ的高压GaN开关管，集成在9*9*1mm的QFN封装内，工作电流6.5A ，低侧和高侧均具有欠压关闭保护。驱动器内置自举二极管，内置互锁功能，且具有准确的内部定时匹配。

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ST意法半导体MasterGaN4通过内部集成半桥驱动器和GaN开关管来减少元件数量，同时其走线方便布局设置，可实现灵活简洁快速的设计。

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ST意法半导体MasterGaN5内部集成半桥驱动器和两颗耐压650V ，导阻450mΩ的高压GaN开关管，集成在9*9*1mm的QFN封装内，工作电流4A ，低侧和高侧均具有欠压关闭保护。驱动器内置自举二极管，内置互锁功能，且具有准确的内部定时匹配。
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Tagore泰高技术
泰高技术推出国产氮化镓半桥芯片，其TTHB100NM是一款集成2颗增强型氮化镓650V100mΩ氮化镓开关管及对应的驱动器的半桥功率芯片，用于高侧、低侧和电平转换。它内置了UVLO（欠压锁定）、过温和带故障输出信号的过电流保护，芯片内集成了用于高侧的启动电源。

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泰高技术TTHB100NM具有12V~20V的宽电源工作范围，可应用在DC–DC转换、逆变器、手机/笔记本充电器、LED/电机驱动、图腾柱无桥PFC应用、高频LLC转换器、服务器/AC-DC电源、有源钳位反激等场景中。

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泰高技术TTHB100NM芯片采用低电感8mm×10mmQFN封装，低电感封装的集成驱动器允许在高压和高频中安全运行。开关频率高达2MHz ，传输延迟低至50ns ，支持50V/nsdV/dT抗扰度,外围元器件精简，具有非常紧凑和简便的布局，可实现灵活快捷的设计。

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泰高技术TTHB100NM芯片8mm×10mmQFN封装看起来比较大，但是比起两颗8mm*8mm的GaN开关管加上独立的驱动器，占板面积大大缩小。同时合封器件也大大减小了寄生效应对效率的影响，提高电源产品的效率和可靠性。
uPISemi力智半导体
力智半导体推出了一款氮化镓半桥芯片uP9801Q ，器件内置两个耐压100V ， 5.6mΩ的氮化镓开关管，内置氮化镓驱动器，具有两个独立的PWM信号输入端子，可独立控制，无需外置元件。相当于电脑主板上使用的DrMOS ， uP9801Q具有极高的集成度，高效的转换效率以及优秀的散热能力。