拼多多|从“造不如买”到集中力量攻坚,中国离7nm光刻机还有多远?

拼多多|从“造不如买”到集中力量攻坚,中国离7nm光刻机还有多远?

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拼多多|从“造不如买”到集中力量攻坚,中国离7nm光刻机还有多远?


文 | 华商韬略 付磊
时代在发展 , 科技在进步 , 如果说科技是一个国家强盛的根基 , 那么半导体芯片的制造则代表着人类科技的发展水平 , 而光刻机则是芯片制造中必不可少的一部分 。
如今 , 我国能够生产的光刻机是第四代的ArFDE 90nm制程 , 然而世界上最先进的光刻机生产企业ASML已经可以做到生产EVU的7nm制程量产 。 因此我国的光刻机技术水平仍然需要不断努力突破 , 才能弥补这个差距 。
【中国光刻机的三次“突破”】
在1952年 , 我国步入计算机科研 , 国家也正是成立了计算机科研小组 , 而此时的中国相对于外国来讲 , GDP仍然差距较大 。
直到1956年 , 我国正式开始重视半导体产业 , 并且成功研制出第一只晶体三极管 , 从此中国进入半导体的新纪元 , 然而此时相对世界上第一只三极管的诞生已经过去了长达9年的时间 。
伴随着晶体管的研发成功 , 我国相关的科研进度也飞速加快 , 然而“天公不作美” , 尽管我国努力在向着光刻机制造产业前进 , 但仍然困难重重 。
1961年 , 美国GCA公司成功制造出第一台接触式光刻机 , 再加上新中国建立初期 , 美国、英国等17个国家就成立了国际巴黎统筹委员会 , 主要是为了限制成员国向发展中国家出口物资和高新技术 , 中国也在封禁的行列之中 。
而光刻机 , 也被该委员会列为尖端科技产品 , 对于中国实施禁运 , 此时的中国也正式遭遇第一次“高科技卡脖” 。
基础实力差 , 加上外国这样的“绊脚石” , 让中国不得不主张自行研发 。
1977年 , 历经10年之久的中国经过自己的不懈努力 , 上海光学机械厂成功制造出JKG-3型接触式半自动光刻机 。
这也代表着此时的中国半导体产业正在紧跟外国的科技发展步伐 , 然而真正距离美国制造出的光刻机已经相差近二十年 , 并且就在同年 , 美国再次推出了真正的自动化光刻机 。
后来的中国通过老一辈的科研工作者努力 , 正在一切向着前进的方向发展 , 然而本以为将会顺利发展、步入快车道的中国光科技产业 , 在1984年遭遇了“中断” 。
伴随着日后光刻机市场霸主ASML的诞生而打破 , 并且随着中国重视重心逐步趋向于其他行业 , 中国在80年代底 , 开始主张“造不如买”的政策 。 使得自身的科研进度逐步减缓 , 以至于中国的集成电路在科研、教育等方面出现脱节 , 自主研发的道路越走越窄 。
取而代之的是数以万千的廉价劳动力 , 尽管后来尽力去跟进研发 , 但由于自身发展原因加上大环境影响 , 导致曾经辉煌一时的半导体盛景已然成为“泡沫” 。 这也代表着中国由于自身原因遭遇第二次“卡脖” 。
历时20年之久 , 中国光刻机技术一直卡在193nm无法突破 , 中国随着发展也逐渐认识到半导体产业的重要性 , 开始探讨突破193nm的方法 。 而此时的ASML却已经开始了EUV光刻机的研发工作 , 并且成功在2010年正式研发出第一台EVU原型机 。
此时的中国就已经意识到了其重要性 , 快速向半导体产业进军 。 恰巧2000年的中国 , 正是大量爱国人士回国创业的时代 , 他们带着外国的先进知识和经验 , 进一步促使中国半导体的产业得到光速发展 。
2007年 , 上海微电子宣布研制出90nm的分布式投影光刻机 , 但由于大多数元器件来自国外 , 西方国家再次禁运 , 导致无法量产 。 后来国家为了解决这一难题 , 除了抓紧整机制造 , 还开始扶持一系列配套产业链的发展 , 在不懈努力下 , 光刻机产业也成功在2016年实现90nm的光刻机量产 。