Solidigm是英特尔出售给SK海力士的NAND研发和制造部门|英特尔solidigm的nand技术 Solidigm是英特尔出售给SK海力士

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【Solidigm是英特尔出售给SK海力士的NAND研发和制造部门|英特尔solidigm的nand技术】Solidigm是英特尔出售给SK海力士的NAND研发和制造部门，它参加了2022年闪存峰会，展示了一个成品和工作的SSD原型，该原型采用了该公司最新的NAND技术：Penta-LevelCell（PLC）。 PLC基于NAND密度构建，增加了单个单元存储多达5位数据的能力（高于QLC的每个单元4位），增加了每个NAND闪存芯片中的可用空间量。
因此，新技术为基于PLC的SSD上更便宜的GB比率铺平了道路，而不是目前使用四级单元（QLC）技术（更不用说MLC和SLC技术，它们大多被降级到企业，数据中心和其他关键环境）。即使人类产生的数据量以惊人的速度增长（预测到2025年，每日数据创建量为每天463EB），存储技术也需要发展以适应这种增长。随着对超级计算的投资不断增加， 5G和AI的曙光，所有这些都有自己的深度数据存储需求， Solidigm将PLC视为一种在控制成本的同时进行扩展的方式。
PLC的工作原理是添加额外的电压状态，这些状态表示单元中的信息位。虽然SLC只需要处理两个电压状态（一个位要么被写入，要么不写入），但MLC将这个数字加倍到四个电压状态（因此每个单元可以包含0和1的任意组合）。 PLCNAND技术最终需要32种不同的电压状态来区分电池可以容纳的所有可能的1和0组合。这会给电池和控制器级带来额外的压力，这必须考虑到电压状态被错误写入，损坏数据的可能性增加。因此，必须在控制器级别实现更强大的纠错算法。

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每个单元的每个额外位都需要将电压状态加倍，这对单元的预期寿命有其自身的影响，并且需要更精细的读取和写入功能来处理状态之间越来越小的差异。随着NAND单元的位存储容量增加，其预期寿命的减少是QLCSSD通常被认为比较少的位数更不可靠（单元“死亡”发生得更早）的部分原因。

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由于Solidigm的PLCNAND基于英特尔技术，因此它使用与其他主要NAND公司（如美光）一直关注的电荷类型不同。英特尔的NAND基于浮动栅极晶体管， Solidigm表示，它适合增加每个单元的位，以便能够创建PLC 。美光与大多数NAND行业一样，将其制造重点放在电荷陷阱技术上，该技术有其自身的优势和劣势。
目前尚不清楚基于PLC的硬盘何时会进入市场。西部数据已经记录在案，表示他们不会在2025年之前进入市场。